1樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是「二極體具有單向導電性」，應該說是「pn結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
希望對你有幫助
2樓：t煙花8月
二極體即是pn結，p結中摻入了3價元素，含有多數的空穴（正電荷），n結摻入了5價元素，含有多數的電子，因此pn組合到一起時，多數的空穴和多數的電子自由的定向移動，在pn結中形成了一個內部電場，該電場同時又阻止pn結的擴散運動，正向接電壓時（p接正極，n接負極），內部電場和外部電池電場疊加，加速定向移動，即電流流過，因此pn結即二極體具有單向導電性
希望對你能有所幫助。
二極體為什麼具有單向導電性
3樓：愛寶寶的胖老公
二極體一般是又矽或是鍺管組成,他們的開啟電壓也就是工作電壓很低,一般矽管的開啟電壓是0.3v,鍺管的開啟電壓是0.7v.
二極體中p區以空穴（正電荷）為主，n區以電子（負電荷）為主
p區和n區中間的pn結構是p端為負離子，n端為正離子。顯然pn結阻止了p區和n區中電子和空穴的擴散。即p區的正電荷和n區的負電荷由於pn結的阻擋而不能擴散
當二極體外加正向電壓（p區接高電平，n區接低電平）時，外加電壓的方向和pn結所形成的內電場的方向相反。因此外加電壓削弱了pn結，增強了擴散運動。
反之外加反向電壓時，正好加強了pn結的阻擋作用，因此擴散運動得不到加強。
如果反向加電壓,由於外加電壓比它們的開啟電壓大,就會擊穿二極體!
4樓：君喲喲喲
二極體構成的主要材料是半導體材料,以矽為例,矽中摻雜少量的氮元素或磷元素時,由於矽的最外層有4個電子與磷的五個電子成鍵,就有一個電子剩餘,這個電子就是自由電子,同樣摻雜氮時就少一個電子.而二極體是這兩種材料做成的,在這兩種材料的結合處多的電子就會向少電子的材料運動,就形成了電場.電場的方向與多出來的電子運動方向相反,這個就是pn結,p是磷,n是氮.
pn結只能讓電子單方向運動.根據這個原理做成的二極體就具有單方向導電性.採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結.
pn結具有單向導電性。
二極體為什麼具有單向導電性？
5樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是「二極體具有單向導電性」，應該說是「pn結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
希望對你有幫助
二極體的單向導電性
6樓：匿名使用者
先要知道～si摻雜入3價元素就是p區，摻雜入5價元素就是n區．然後應該這麼理解～pn結加正相電壓，使空間電荷區減小，有利於多子的擴散，p區多子是空穴，少子是電子，n區多子是電子，少子是空穴．反之，當pn結加反相電壓，空間電荷區增大，不利於多子的擴散，有利於少子的飄逸．而有利於多子的擴散所產生電流導通，叫做單向導電性
這學期剛好學的模電～這科就是入門難，開頭學好，後面學起來就簡單了順便說，這裡指的空間電荷區就是耗勁層～
你說的那種情況是正偏電壓正相導通，反偏電壓大於1v反向擊穿，在書的後面會講具體用途，這種特性非常重要
純手打謝謝～
二極體為什麼具有單向導電性?
7樓：朱杞檸
二極體中p區以空穴（正電荷）為主，n區以電子（負電荷）為主
p區和n區中間的pn結構是p端為負離子，n端為正離子。顯然pn結阻止了p區和n區中電子和空穴的擴散。即p區的正電荷和n區的負電荷由於pn結的阻擋而不能擴散
當二極體外加正向電壓（p區接高電平，n區接低電平）時，外加電壓的方向和pn結所形成的內電場的方向相反。因此外加電壓削弱了pn結，增強了擴散運動。
反之外加反向電壓時，正好加強了pn結的阻擋作用，因此擴散運動得不到加強。
簡言之：二極體外加正向電壓時，削弱了pn結的阻擋作用，外加反向電壓時增強了pn結的阻擋作用
為什麼二極體是單向導電？原理是什麼？
8樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是「二極體具有單向導電性」，應該說是「pn結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
二極體的單向導電性的作用是什麼二極體的單向導電性具體指什麼
1 可以做開關元件 二極體在正向電壓作用下電阻很小，處於導通狀態，相當於一隻接通的開關 在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，如同一隻斷開的開關。利用二極體的開關特性，可以組成各種邏輯電路。2 對電流起保護作用 當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極體將失去單方向導電特性...
二極體為什麼會有單項導電性，二極體為什麼具有單向導電性？
二極體中p區以空穴 正電荷 為主，n區以電子 負電荷 為主 p區和n區中間的pn結構是p端為負離子，n端為正離子。顯然pn結阻止了p區和n區中電子和空穴的擴散。即p區的正電荷和n區的負電荷由於pn結的阻擋而不能擴散 當二極體外加正向電壓 p區接高電平，n區接低電平 時，外加電壓的方向和pn結所形成的...
二極體的伏安特性是否嚴格符合單向導電性為什麼
反向有漏電流,反向電壓太高會擊穿,正向有管壓降以及內阻損耗,還有溫度影響等等 什麼是二極體的伏安特性曲線?根據二極體的伏安特性曲線,說明二極體的單向導電性。二極體的伏安特性具有以下特點 1二極體具有單向導電性 2二極體的伏安特性具有非線性 3二極體的伏安特性與溫度有關。實在不行換一個 或者在硬之城上...