1樓：匿名使用者
1、可以做開關元件：二極體在正向電壓作用下電阻很小，處於導通狀態，相當於一隻接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，如同一隻斷開的開關。利用二極體的開關特性，可以組成各種邏輯電路。
2、對電流起保護作用：當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極體將失去單方向導電特性，這時候二極體就擊穿了。
2樓：匿名使用者
作用就是單向導電啊 也就是方向只有一個，比如交流電方向是正負替換的，二極體如果加到線路中去，那麼方向就不再是正負交替了 就只有一個方向了。
3樓：匿名使用者
防止反接燒壞器件（反向流不通）。
4樓：
可以限制電壓或者電流
5樓：完美假知己
二極體的單向導電性具體指：只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。
單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。
二極體單向導電性失敗的場合及原因
1、正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）
2、正向電流太大。（會使pn結溫度過高燒燬）3、反向偏壓太高。（造成反向擊穿）
4、工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）
二極體的單向導電性具體指什麼?
6樓：完美假知己
二極體的單向導電性具體指：只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。
單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。
二極體單向導電性失敗的場合及原因
1、正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）
2、正向電流太大。（會使pn結溫度過高燒燬）3、反向偏壓太高。（造成反向擊穿）
4、工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）
7樓：醉意撩人殤
二極體pn結正向導通，反向截止，即為單向導電性。
1、正向：將p型區接電源正極，n型區接電源負極，則外電場削弱了內電場。擴散運動加強，漂移運動減弱，擴散大於漂移，形成正向電流if。結電壓很低，顯示正向電阻很小，稱為正向導通。
2、反向：將p型區接電源負極，n型區接電源正極，則外電場加強了內電場。擴散運動減弱，漂移運動增強，漂移大於擴散，形成反向電流ir。
由於漂移運動是由少子形成，數量很少，所以ir很小，可以忽略不計，但ir受溫度影響較大。結電壓近似等於電源電壓，顯示反向電阻很大，稱為反向截止。
8樓：匿名使用者
對於一般的二極體而言，電流只能從正極流向負極，這就是它的單向導電性。極個別型別的除外，例如齊納二極體和能隙二極體是工作在反向擊穿狀態下的。
二極體的單向導電性是什麼意思，具體點
9樓：科幻怪怪
書上的真品，我就不再去克隆。僅打個比方，供你理解。二極體就像一根一面倒的魚刺，電流就像一根粗細略小於魚刺的玻璃管，這樣魚刺順著玻璃管就很容易通過，也就是二極體正向導通；而魚刺逆著玻璃管，就基本無法通過，即這時就是二極體反向截止。
10樓：綠色de落葉
二極體外形與電阻相似，不過分正負端，在不破壞二極體的情況，只有正的一端電勢比另外一端高是，二極體才導通，有電流，且電阻很小。否則二極體將不導電。對於理想模型，導通時相當於導線，電阻為0，不導通時相當於斷開的開關，電阻無窮大。
實際中，當二極體反向電壓很大，也就是負端電勢比正端高很多時，二極體會被擊穿。此時的二極體已經被損壞，就是一「導線」，無功效。
11樓：碧夜流星
二極體分正負極，電流從正極流向負極（電阻很小），不能從負極流向正極（負極向正極流向時電阻變為無窮大），所以就說二極體單向導通
二極體為什麼具有單向導電性？
12樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是「二極體具有單向導電性」，應該說是「pn結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
希望對你有幫助
二極體為什麼具有單向導電性，二極體的單向導電性
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