1樓:
反向有漏電流,反向電壓太高會擊穿,正向有管壓降以及內阻損耗,還有溫度影響等等
什麼是二極體的伏安特性曲線? 根據二極體的伏安特性曲線,說明二極體的單向導電性。
2樓:匿名使用者
二極體的伏安特性具有以下特點:1二極體具有單向導電性;2二極體的伏安特性具有非線性;3二極體的伏安特性與溫度有關。實在不行換一個 或者在硬之城上面找找這個型號的資料
二極體的伏安特性
3樓:匿名使用者
二極體既然是一個pn結,當然具有單向導電性。uon稱為死區電壓,通常矽管的死區電壓約為專0.5v,鍺管約為0.
1v。當屬外加正向電壓低於死區電壓時,外電場還不足以克服內電場對擴散運動的阻擋,正向電流幾乎為零。當外加正向電壓超過死區電壓後,內電場被大大削弱,正向電流增長很快,二極體處於正向導通狀態。
導通時二極體的正向壓降變化不大,矽管約為0.6~0.8v,鍺管約為0.
2~0.3v。溫度上升,死區電壓和正向壓降均相應降低。
ubr稱為反向擊穿電壓,當外加反向電壓低於ubr時,二極體處於反向截止區,反向電流幾乎為零,但溫度上升,反向電流會有增長。當外加反向電壓超過ubr後,反向電流突然增大,二極體失去單向導電性,這種現象稱為擊穿。普通二極體被擊穿後,由於反向電流很大,一般會造成「熱擊穿」,不能恢復原來效能,也就是失效了。
二極體的應用範圍很廣,主要都是利用它的單向導電性,可用於整流、檢波、限幅、元件保護以及在數位電路中用作開關元件等。
4樓:匿名使用者
極管是du由半導體材料zhi製成的,帶空穴的p(positive)型半導體dao和帶自由電子
版的n(negative)型半導體被製作在同一塊權矽片上,在它們的交介面上自由電子和空穴由於濃度差發生運動(稱之為擴散運動),相互結合失去電性,留下交介面附近的正負離子(這樣一個區域稱之為耗盡層),形成內部電場和空間電荷區,這種電場又進一步造成了空穴和電子的運動(稱之為漂移運動),最終擴散運動和漂移運動達到動態平衡,空間電荷區不再擴大,內部電場保持穩定。二極體被加上一個與內部電場方向相反的電壓(稱之為正向導通電壓)時,內電場就會被削弱,當外加電場大於內電場時,漂移運動就能源源不斷地進行,形成電流,表現出導體的性質。參考《類比電子技術基礎》(童詩白 編)《電子技術基礎:
模擬部分》(康華光 編)
5樓:匿名使用者
正向導通,返向截止。
二極體的單向導電特性是指什麼
6樓:醉意撩人殤
二極體pn結正向導通,反向截止,即為單向導電性。
1、正向:將p型區接電源正極,n型區接電源負極,則外電場削弱了內電場。擴散運動加強,漂移運動減弱,擴散大於漂移,形成正向電流if。結電壓很低,顯示正向電阻很小,稱為正向導通。
2、反向:將p型區接電源負極,n型區接電源正極,則外電場加強了內電場。擴散運動減弱,漂移運動增強,漂移大於擴散,形成反向電流ir。
由於漂移運動是由少子形成,數量很少,所以ir很小,可以忽略不計,但ir受溫度影響較大。結電壓近似等於電源電壓,顯示反向電阻很大,稱為反向截止。
7樓:匿名使用者
二極體的單向導電特性是指二極體在正常工作過程中,加正向電壓,二極體導通,阻值很低;加反向電壓,反向電流很小,二極體處於高阻截止狀態
8樓:深圳瑞隆源電子
因為二極體有單向導電性 導致電路不通要是將二極體反過來接 發光二極體亮 而電燈不亮 是正常現象 燈並沒有壞 但是類似於短路 具體分析如下因為發光二極體是 非線性元件 而 電燈是線性元件 (線性元件服從伏安特性曲線 非線性則否) 因此發光二極體不能用伏安發測定它的具體電阻值通常情況下 發光二極體不通電時 有好幾百千歐的電阻 電燈不通電時自由其本身電阻值幾歐的電阻(但要看功率而定)發光二極體 工作時通常只有30ma 而電燈有幾百毫安(由功率而定)-----------現在就是重點了 發光二極體反應很快 電燈反應就慢的多了 因為電燈的電阻隨溫度的升高而變大 這就說明了 當發光二極體發光的瞬間 發光二極體已經點亮了 而電燈燈絲的溫度 還沒有升高到原來的千分之一 電阻變化極小 顯然串聯電路里 電流處處相等 只有發光二極體的30ma電流 因此燈泡遠遠達不到額定的幾百毫安 所以燈泡當然不會亮了 因此燈泡只能當一個電阻使用 又因為燈泡這時的電阻很小 在燈泡兩端分得的電壓很小(其實電壓表時是有讀數的 只是你看不出) 大部分電壓都分到了發光二極體上了 因此導致發光二極體亮 燈泡不亮 電流表有讀數 電壓表無讀數---------------------最後 發光二極體有以下性質1 單向導電性2 通過電流能發光 3 電能轉光能是一個可逆的過程(若用強光照射到發光二極體晶片上 發光二極體也可以像太陽能電池那樣 能輸出電能 但是發光二極體的輸出很小 通常只有幾微安)
9樓:桑煦黨元勳
晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其介面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於p-n
結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。
當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。
當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流i0。
當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。
二極體的伏安特性曲線有何特點
10樓:匿名使用者
1 二極體具有單向導電性; 2 二極體的伏安特性具有非線性; 3 二極體的伏安特性與溫度有關。
二極體具有單向導電性,現要測繪二極體正向導通時的伏安特性曲線.已知實驗使用的二極體正向導通時允許通
11樓:手機使用者
(1)當將
抄紅表筆接
觸二極體左襲端、黑表筆接bai觸二極體右端du時,發現指標的偏角比較大,zhi
則兩曲線的交點為二極體工作點,則由圖象可知,二極體的工作電壓約為2.0v;電流約為20ma;
則功率p=ui=0.04w;
故答案為:(1)右
(2)c e
(3)0.04
二極體為什麼具有單向導電性?
12樓:匿名使用者
首先,糾正一下你的說法,不是「二極體具有單向導電性」,應該說是「pn結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能,但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起:
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結:一塊單晶半導體中 ,一部分摻有受主雜質是p型半導體,另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ,p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ,由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下,空穴是可以移動的,而電離雜質(離子)是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時,在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散,電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合,載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子,卻有分佈在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ,n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場,這電場阻止載流子進一步擴散 ,達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ,如果p型一邊接正極 ,n型一邊接負極,電流便從p型一邊流向n型一邊,空穴和電子都向介面運動,使空間電荷區變窄,甚至消失,電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極,p型一邊接負極,則空穴和電子都向遠離介面的方向運動,使空間電荷區變寬,電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ,空間電荷區變寬 , 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時,反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流,則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種,即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時,空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同,利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體,利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體;利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體;利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體;利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器;利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外,利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大,振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心,是現代電子技術的基礎。
希望對你有幫助
半導體二極體伏安特性曲線 5
13樓:原點
半導體二極體的核心是pn結,它的特性就是pn結的特性——單向導電性。用實驗的方法,在二極體的陽極和陰極兩端加上不同極性和不同數值的電壓,同時測量流過二極體的電流值,就可得到二極體的伏一安特性曲線。該曲線是非線性的,如圖1-13所示。
正向特性和反向特性的特點如下。
1.正向特性
當正向電壓很低時,正向電流幾乎為零,p89lpc954fbd這是因為外加電壓的電場還不能克服pn結內部的內電場,內電場阻擋了多數載流子的擴散運動,此時二極體呈現高電阻值,基本上還是處於截止的狀態。如圖1 - 13所示,正向電壓超過二極體開啟電壓uon(又稱為死區電壓)時,電流增長較快,二極體處於導通狀態。開啟電壓與二極體的材料和工作溫度有關,通常矽管的開啟電壓為uon=0.
5v(a點),鍺管為uon=0.1 v(a'點)。二極體導通後,二極體兩端的導通壓降很低,矽管為0.
6~0.7 v,鍺管為0.2~0.
3 v如圖1-13中b、b'點。
2.反向特性
在分析pn結加上反向電壓時,已知少數載流子的漂移運動形成反向電流。因少數載子數量少,且在一定溫度下數量基本維持不變,因此,廈向電壓在一定範圍內增大時,反向電流極微小且基本保持不變,等於反向飽和電流is。
當反向電壓增大到ubr時,外電場能把原子核外層的電子強制拉出來,使半導體內載流子的數目急劇增加,反向電流突然增大,二極體呈現反向擊穿的現象如圖1-13中d、d'點。二極體被反向擊穿後,就失去了單向導電性。二極體反向擊穿又分為電擊穿和熱擊穿,利用電擊穿可製成穩壓管,而熱擊穿將引起電路故障,使用時一定要注意避免二極體發生反向熱擊穿的現象。
二極體的特性對溫度很敏感。實驗表明,當溫度升高時,二極體的正向特性曲線將向縱軸移動,開啟電壓及導通壓降都有所減小,反向飽和電流將增大,反向擊穿電壓也將減小。
這是二極體的伏安特性曲線,根據要求畫圖
o a,電壓 是正向的,來可沒有源電流,因此叫死區 a b,電壓是正向的,有較大的電流,這個叫正向導通區 o c,電壓是反向的,也沒有電流,這個叫截止區 c d,電壓是反向的,電流變化率很大,這個叫反向擊穿區 用multisim分析半導體二極體的伏安特性觀察其現象並說明原因 如圖所示 在multis...
電阻器與二極體的伏安特性有何區別
電阻器與二極體的伏安特性的區別 電阻的伏安特性是一條斜直線，而二極體的伏安特性是一條近似反s形的曲線。電阻器指的是一個純電阻，或者可變電阻，它的伏安特性，或即伏安曲線，是一根線性曲線，即直線，表現了流過電阻r的電流i與電阻兩端所加的電壓v成正比的數學關係。二極體的伏安特性是一個非線性伏安曲線，加在它...
在測試文雅二極體反向伏安特性時，為什麼會分兩段分別採用電流表
採用電壓表電流表兩表法測量穩壓二極體的電壓和電流時。電流表內接電路電流讀數準確，電壓表讀數中因附加有電流表的內阻電壓不夠準確。電流表外接電路電壓表讀數準確，電流表讀數中因附加有電壓表的內阻電流不夠準確。測量穩壓二極體反向伏安特性時，外接電壓未達到穩壓二極體的穩壓值時，關鍵是測量出反向漏電流，而且這時...