1樓：匿名使用者
之所以晶圓都做成圓形,主要的是考慮單位面積利用率和生產問題.
首先矽錠被"拉"出來的時候就一定是圓的,幾乎不可能直接獲得方的矽錠,除非將圓的矽錠切削成方的,但這樣無異於浪費. 比較直徑為l毫米的圓和邊長為l毫米的正方形,考慮晶圓製造過程中邊緣5到8毫米是不可利用的,算算就知道正方形浪費的使用面積比率是比圓型高的.
再則, 很多晶圓生產裝置的工藝原理必然要求選擇圓型晶圓. 圓型具有任意軸對稱性,這是晶圓製作工藝必然的要求,可以想象一下,在圓型晶圓表面可以通過旋轉塗布法(spin coating,事實上是目前均勻塗布光刻膠的唯一方法)獲得很均勻一致的光刻膠塗層,但其它形狀的晶圓呢? 不可能或非常難,可以的話也是成本很高.
當然,還有很多其它的工藝容易在圓型晶圓上實行而很難在其它形狀上實施.
當然,我也覺得或許在人們開始規模製作晶圓的時候一開始就用諸如正方型的晶圓的話, 我們現在也可能還在繼續發展方型晶圓,只不過現在所有的晶圓加工裝置都是為圓型晶圓設計的,這是世界標準.
世界選擇圓型,自然是有其必然性的. 看看其後的成本問題就很清楚了.
2樓：
你如果瞭解了化片就知道為什麼要做成圓的了,就好象下水道的蓋子為什麼是圓的而不是方的,呵呵!
3樓：匿名使用者
方的邊緣的一圈照樣不能用，而且圓形好製造
晶圓製造為什麼會成為中國半導體發展的死結
4樓：匿名使用者
回顧從前，放眼未來，晶圓製造成為中國半導體發展最困難的原因:
1.半導體行業整體企業管理問題
2.半導體企業質量和研發問題
3.國際上技術進步神速日新月異，專利權昂貴問題4.裝置發展問題
5.人才發展問題
6.材料**鏈問題
7.各先進國家半導體技術輸出管制問題
8.領導和推動的盲點，至今仍然存在問題;
晶圓的幾寸線與幾奈米的工藝有什麼關係嗎？
5樓：藝人醉紅塵
有的。一、幾寸指的晶圓大小（直徑），幾奈米指的電晶體之間的距離。它描述了該工藝代下加工尺度的精確度。
二、它並非指半導體器件中某一具體結構的特徵尺寸，而是一類可以反映出加工精度的尺寸的平均值。
三、晶圓直徑越大，且電晶體之間的距離越小，那麼單片晶圓上整合的晶粒（晶片）數也越多，也就是整合度越高。所以尺寸越做越大，間距（奈米）越做越小，技術也越來越複雜。
6樓：
這是兩種描述晶圓規格及工藝水平的資料，幾寸指的晶圓大小（直徑），幾奈米指的電晶體之間的距離，晶圓直徑越大，且電晶體之間的距離越小，那麼單片晶圓上整合的晶粒（晶片）數也越多，也就是整合度越高，所以尺寸越做越大，間距（奈米）越做越小，技術也越來越複雜。
矽是由石英砂所精練出來的，晶圓便是矽元素加以純化（99.999%）。
擴充套件資料：
注意事項：
1、由於晶圓生產工藝中，其表面會形成薄膜，這需要光刻技術將它去掉。在晶圓製造過程中，晶體、電容、電阻等在晶圓表面或表層內構成，這些部件是每次在一個掩膜層上生成的，並且結合生成薄膜及去除特定部分，通過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留特徵圖形的部分。
2、光刻確定了器件的關鍵尺寸，光刻過程中的錯誤可造成圖形歪曲或套準不好，最終可轉化為對器件的電特性產生影響。
3、高純度的多晶矽放在石英坩堝中，並用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約一千多攝氏度，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶矽熔化，同時又不會產生不需要的化學反應。
7樓：匿名使用者
一、幾寸指的晶圓大小bai（直徑），幾奈米指的電晶體之間的距離。它描述了該工藝代下加工尺度的精確度。
二、它並非指半導體器件中某一具體結構的特徵尺寸，而是一類可以反映出加工精度的尺寸的平均值。
半導體晶圓在切割時產生的矽粉如何處理
8樓：匿名使用者
我前一個單位是切割的時候純水裡加了切割液，切割完成後直接純水清洗的，當然了切割液的濃度會根據晶圓的厚度和尺寸作調整。沒刻意去處理切割下產生的矽粉。
9樓：匿名使用者
溼製程切割晶圓後在濾水芯中**矽粉再利用;
乾製程則用逆滲透粉塵機**，兩種**都可以加入拉晶圓時的材料再用，目前少用乾製程，
請問半導體有哪些材料，半導體材料有哪些
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