下面,我是直接用微控制器的IO口控制雙向可控矽的,相當開關,他們沒有共地,這樣可行嗎?該如何改進呢

2021-04-19 05:14:30 字數 1739 閱讀 8751

1樓:

不行,用個光耦隔離一下吧,否則一上電,就會看到一縷青煙上青天的。

2樓:匿名使用者

你的電路不行,但也不會燒微控制器,因為不共地是不會產生迴路電流的。

其它你照樓上說的辦。

3樓:匿名使用者

你這樣是不可行的,使用moc3061晶片驅動,考慮採用rc吸收

如果使用微控制器控制雙向可控矽,除了採用光耦是否還有其他方法?比如三極體?

4樓:匿名使用者

如果不要求強弱電隔離的話,可以直接控制可控矽的。

事實上有好多要求不高的電器,包括出口的,各種認證的小電器產品都有用的是直接控制的,它們的電源部份往往用的是阻容降壓。

炸可控矽的事,要麼是選型不對,要麼是接線錯誤;炸三極體的也同理,原理圖錯誤更多。

至於需不需要用三極體來驅動,要看所選用的可控矽的最小驅動電流是多少,如果是幾ma十幾ma的則可以不用三極體而直接用io口來驅動。當然,具體的電路設計上是要有技巧的。

5樓:匿名使用者

關鍵是雙向可控矽要控制交流220v電源吧,這麼高的電壓必須加光耦隔離的,用其它方法都不能實現隔離,都是不安全的,肯定是不行的。而且要用雙向光耦,自帶過零檢測電路的,如moc3063。

除非用三極體控制繼電器,繼電器再控制交流220v,這三極體和繼電器控制線圈還可以不用隔離。

6樓:匿名使用者

可以使用三極體+lm358去檢測過零點觸發滴。

微控制器控制pwm,用到雙向可控矽。怎樣設計相關電路圖和程式(c語言的)?

7樓:匿名使用者

這個我經常用,電機調速控制,嚴格說這不是pwm,是可控矽移相觸發。

電路很簡單,一專個可控屬矽觸發電路,一個過零檢測電路,配合一段中斷服務程式就能完成。

不知道你應用的一些詳情,簡單說一下思路。

可控矽觸發一般使用moc3021,相關手冊上有典型電路,cpu端接一個gpio就可以。

閉環控制時過零檢測不需要很精確,一般用一個雙向光耦就足夠,光耦輸入接交流電輸入,輸出接cpu中斷,用史密特整形一下輸出訊號最好。

中斷程式的結構分成兩部分,過零中斷與延時中斷。

過零中斷做兩件事,輸出復位,開始延時。如果定時器有外部管腳復位啟動功能,可以不要這段。

延時中斷做一件事,觸發輸出。如果定時器有觸發輸出功能,可以沒有這段中斷程式。

具體的延時時間,由主程式控制,一般是根據pid的計算結果進行設定。注意,延時時間越長,輸出電壓越小。

微控制器+moc3041控制雙向可控矽,我不明白為什麼有過零檢測電路?我微控制器一直讓光耦導通不就行了嗎?

8樓:匿名使用者

過零檢測的bai目的是為了減小對電

du網的干擾。

moc3021是即zhi時觸發

dao的,不帶過零檢測版,使用這種光耦觸發可權控矽,在開啟的瞬間,電流衝擊會在電網上形成一個負跳變,幅度由電流的大小決定。這種跳變多了,電網自然就不乾淨了。

所以,如無必要,還是用帶過零檢測的了。

9樓:匿名使用者

moc3041本身就帶了過零觸發,無需外帶

10樓:匿名使用者

那是你不瞭解可控矽是怎麼工作的,用過零檢測是為了較準確的控制可控矽導通角,從而控制電流大小。 簡易瞭解一下可控矽。

微控制器直接驅動MOS管,會不會燒壞IO口

正常情況下,不會燒壞io口,但是如果mos管被燒的話,有可能有大電流灌入io口,從而造成燒壞io口的情況。微控制器的io口能直接驅動mos管嗎?可靠嗎?應該不行,既然用微控制器處理,那麼一般希望mos管工作在開關狀態。因為mos管是電壓驅動原件,飽和導通時電壓一般在10v以上,而微控制器一般的供電電...

關於微控制器io口的高阻態問題,51微控制器的IO口怎麼設為高阻態

輸出沒有高阻態,輸入有,輸出是推輓 上拉,不要搞錯了 高阻態意味著從外部看,電阻很大,近於懸空 51微控制器的i o口怎麼設為高阻態 普通51微控制器的io口無法設定為高阻態。stc微控制器可以設定為高阻態,通過改變pnm0和pnm1的值來設定其狀態。當pnm1 pnm0 10時對應的io即為高祖態...

51微控制器怎麼用IO口擴充套件成輸入口

分輸入和輸出 輸入你可以選擇74ls244.這個是8通道快取器。輸出你可以選擇鎖存器74ls373.8位下降沿鎖存。然後你把5個輸入或者輸出口都接在某一個口,比如p1.這樣佔用8位。還剩餘2位。你可以用來控制4個這樣的裝置。這2位的組合分別是00,控制一個8位裝置。01控制一個8位裝置,10控制一個...