微控制器直接驅動MOS管,會不會燒壞IO口

2021-03-03 20:58:52 字數 1499 閱讀 8708

1樓:匿名使用者

正常情況下,不會燒壞io口,但是如果mos管被燒的話,有可能有大電流灌入io口,從而造成燒壞io口的情況。

微控制器的io口能直接驅動mos管嗎?可靠嗎?

2樓:

應該不行,既然用微控制器處理,那麼一般希望mos管工作在開關狀態。

因為mos管是電壓驅動原件,飽和導通時電壓一般在10v以上,而微控制器一般的供電電壓是小於等於5v的。如果低壓驅動mos管的話,mos管工作在截至區或放大區,可能得不到預計的結果。

3樓:匿名使用者

微控制器的io口能直接驅動mos,微控制器的電源工作電壓得高於等於5v,一般的mos管g極得4v以上才能導通。我用微控制器直接驅動irf640,挺好用的。

4樓:swish啟蒙者

可以,需要選擇低壓啟動mos管,比如我用的ao3416可以在4.5v下完全導通。

vds 20v

id(at vgs =4.5v) 6.5ards(on)(at vgs =4.

5v) <22mωrds(on) (at vgs = 2.5v) <26mωrds(on) (at vgs = 1.8v) <34mωfet型別:

n溝道技術:mosfet(金屬氧化物)

漏源極電壓(vdss):20v

電流-連續漏極(id)(25°c時):6.5a(ta)驅動電壓(最大rdson,最小rdson):

1.8v,4.5v不同id時的vgs(th)(最大值):

1v@250μa不同vgs時的柵極電荷 (qg)(最大值):[email protected]不同vds時的輸入電容(ciss)(最大值):

1160pf@10v柵源電壓 vgss:±8v

fet功能:-

功率耗散(最大值):1.4w(ta)

不同 id,vgs時的 rdson(最大值):22毫歐@6.5a,4.5v

5樓:夢卓洛

不能,因為一般微控制器的直接驅動能力在20ma左右,驅動能力不足,一般需要利用三極體放大電流之後進行驅動,有時還需要3級 三極體增大電流!

用pmos管做開關控制3.3v電源,微控制器的io口接g極,輸出的電平出現2v的波動 10

6樓:匿名使用者

參考這個電路圖《帶軟開啟功能的mos管電源開關電路》:

帶軟開啟功能的mos管電源開關電路

7樓:小遼_小本

2301在vgs為-2.5時,就應該可以正常工作了,去掉510,mos時電壓驅動,10k不動

8樓:匿名使用者

你可以考慮增加驅動放大電路增強驅動能力

9樓:匿名使用者

去掉510歐電阻,10k改為1k以下。

10樓:匿名使用者

用一個p管+n管才可以搞定吧,微控制器控制n管,n管控制p管

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