1樓：凡人行者無疆
單晶體原則上可以復由固態、液制態（熔體或溶液bai
）或氣態生長而du得。實際上人工晶zhi體多半由熔dao體達到一定的過冷或溶液達到一定的過飽和而得。晶體生長是用一定的方法和技術，使單晶體由液態或氣態結晶成長。
由液態結晶又可以分成熔體生長或溶液生長兩大類。
什麼是晶體生長方向？
2樓：匿名使用者
你說的是晶向指數,晶向指數的確定步驟如下:
(1)以晶胞的三個稜邊為座標軸x\y\z,以稜邊為長度作為座標軸的長度單位;
(2)從座標軸原點引一有向直線平等於待定晶向;
(3)在所引有向直線 上任取一點,求出該點在x\y\z軸上的座標值;
(4)將三個座標值按比例化為最小簡單整數,依次寫入方括號[ ]中,即得所求的晶向指數.
3樓：匿名使用者
晶體在不同方向上的原子排列情況不同,它們之間的作用力有差異,晶體在長大過程中,沿不同晶向接受原子的能力是不同的,也就是說可以在某些晶向優先長大,這就是為什麼金屬晶體一般以樹枝狀方式長大的原因.這些優先長大的方向可以分為一次晶軸\二次晶軸等,具體晶向與晶格型別有關係.比如面心立方的晶軸位向是<100>;體心正方是<100>;體心立方是<110>.
晶體生長的途徑
晶體生長的晶體簡介
4樓：天堂鳥
晶體是在物相轉變的情況下形成的。物相有三種，即氣相、液相和固相。只有晶體才是真正的固體。由氣相、液相轉變成固相時形成晶體，固相之間也可以直接產生轉變。
晶體生成的一般過程是先生成晶核，而後再逐漸長大。一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三個階段：①介質達到過飽和、過冷卻階段；②成核階段；②生長階段。
在某種介質體系中，過飽和、過冷卻狀態的出現，並不意味著整個體系的同時結晶。體系內各處首先出現瞬時的微細結晶粒子。這時由於溫度或濃度的區域性變化，外部撞擊，或一些雜質粒子的影響，都會導致體系中出現區域性過飽和度、過冷卻度較高的區域，使結晶粒子的大小達到臨界值以上。
這種形成結晶微粒子的作用稱之為成核作用。
介質體系內的質點同時進入不穩定狀態形成新相，稱為均勻成核作用。
在體系內的某些區域性小區首先形成新相的核，稱為不均勻成核作用。
均勻成核是指在一個體系內，各處的成核機率相等，這要克服相當大的表面能位壘，即需要相當大的過冷卻度才能成核。
非均勻成核過程是由於體系中已經存在某種不均勻性，例如懸浮的雜質微粒，容器壁上凹凸不平等，它們都有效地降低了表面能成核時的位壘，優先在這些具有不均勻性的地點形成晶核。因之在過冷卻度很小時亦能區域性地成核。
在單位時間內，單位體積中所形成的核的數目稱成核速度。它決定於物質的過飽和度或過冷卻度。過飽和度和過冷卻度越高，成核速度越大。
成核速度還與介質的粘度有關，輪度大會阻礙物質的擴散，降低成核速度. 晶核形成後，將進一步成長。
過冷度對晶核形成與晶體生長分別有什麼影響
溫度對結晶速率的影響 在某合適的溫度結晶速率最大。因為晶核的生長速度和晶體的生回長速度對溫答度的依賴性不同，晶核生長速度在低溫快，因為高溫會破壞形成的有序晶核 尤其是在均相成核中 而高溫體系粘度小，鏈段運動快，向晶核擴散快，容易規整堆積，有利於晶體生長。加入成核劑最主要是使晶體粒度變小，提高了材料力...
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