如何確定摻雜的離子形成哪種缺陷

1樓：網友

1)摻雜溫度低。離子注入是在高真空中、在室溫或低溫下進行的，可以避見高溫擴散中所引進的熱缺陷或基片的熱變形。

2)易於控制雜質的濃度分佈。適當控制注入劑量和能量．可能得到理論設計中所要求的理想雜質分佈。

3)可控性好。摻雜濃度、結深和雜質分佈都能技預定的要求通過調節注山旦入離子的束流、能量和注入時間得到精確控制。

4)側向擴散小。在熱擴散中，視窗邊緣處的橫向擴充套件範圍基本上等於縱向擴散深度。在離子注入時，只有當離子質量租野較輕或入射能員較高時，才有比較明顯的側向擴散，一般悄況下。

橫向擴充套件與縱向深度相比是很小的、常常可以忽略，這對提高ic整合密度十分重要。

5)具有「直接寫入」功能，可以不要掩模。低溫摻雜和「直接寫入」是離子注入技術與雷射摻雜技術所共有的優勢。與雷射摻雜技術相比，離子注入摻雜技術還存在一定的缺點。

離子注入摻雜的最大缺點弊唯喊是離子注入時會在晶體內產生大量的晶格缺陷，雖然這些缺陷的大部分可以通過退火來消除，但殘留的二次缺陷和晶格畸變往往會給器件的電特性帶來很壞的影響。此外，離子注入裝置龐大、複雜、**高昂，這也在一定程度上紹其應用帶來限制或困難。

2樓：取好個名字

離子注入是離子參雜的一種。

隨著vlsi器件的發展，到了70年代，器件尺寸不斷減小，結深降到1um以下，擴散技術有些力不從心。在這種情況下，離子注入技術比較好的發揮其優勢。目前，結深小於1um的平面工藝，基本都採用離子注入技術完成摻雜。

離子注入技術已經成為vlsi生產中不可缺少的摻雜工藝。

離子注入具有如下的特點：

可以在較低溫度下（400℃）進行，避免薯飢高溫處理；

通過控制注入時的電學條件（電流、電壓）可以精確控制濃度和結深，更好的實現對雜質分佈形狀數手返的控制。而且雜質濃度不受材料固溶度的限制；

可選出一種元素進行注入，避免混入其他雜質；

可以在較大面積上形成薄而均勻的摻雜薯逗層。同一晶片上雜質不均勻性優於1％,且橫向摻雜比擴散小的多；

控制離子束的掃瞄區域，可實現選擇注入並進而發展為一種無掩模摻雜技術。