太陽能(急需,急需太陽能方面的資料!!!!

2022-05-08 18:41:31 字數 3267 閱讀 8157

1樓:宗山幽居

我國相關政策

2023年9月,上海市**公佈「上海開發利用太陽能行動計劃」。

2023年6月,中國成立風能太陽能資源評估中心。

2023年3月23日,財政部印發《太陽能光電建築應用財政補助資金管理暫行辦法》,擬對太陽能光電建築等大型太陽能工程進行補貼。

財政部關於印發《太陽能光電建築應用財政補助資金管理暫行辦法》的通知   財建[2009]129號   各省、自治區、直轄市、計劃單列市財政廳(局),新疆生產建設兵團財務局:   為貫徹實施《可再生能源法》,落實***節能減排戰略部署,加快太陽能光電技術在城鄉建築領域的應用,我們制定了《太陽能光電建築應用財政補助資金管理暫行辦法》。現予印發,請遵照執行。

  附件:太陽能光電建築應用財政補助資金管理暫行辦法   中華人民共和國財政部   二〇〇九年三月二十三日   太陽能光電建築應用財政補助資金管理暫行辦法   第一條    第二條 補助資金使用範圍   (一)城市光電建築一體化應用,農村及偏遠地區建築光電利用等給予定額補助。   (二)太陽能光電產品建築安裝技術標準規程的編制。

  (三)太陽能光電建築應用共性關鍵技術的整合與推廣。   第三條 補助資金支援專案應滿足以下條件:   (一)單項工程應用太陽能光電產品裝機容量應不小於50kwp;   (二)應用的太陽能光電產品發電效率應達到先進水平,其中單晶矽光電產品效率應超過16%,多晶矽光電產品效率應超過14%,非晶矽光電產品效率應超過6%;   (三)優先支援太陽能光伏元件應與建築物實現構件化、一體化專案;   (四)優先支援併網式太陽能光電建築應用專案;   (五)優先支援學校、醫院、**機關等公共建築應用光電專案。

  第四條 鼓勵地方出臺與落實有關支援光電發展的扶持政策。滿足以下條件的地區,其專案將優先獲得支援。   (一)落實上網電價分攤政策;   (二)實施財政補貼等其他經濟激勵政策;   (三)制定出臺相關技術標準、規程及工法、圖集;   第五條 本通知印發之日前已完成的專案不予支援。

  第六條 2023年補助標準原則上定為20元/wp,具體標準將根據與建築結合程度、光電產品技術先程序度等因素分類確定。以後年度補助標準將根據產業發展狀況予以適當調整。   第七條 申請補助資金的單位應為太陽能光電應用專案業主單位或太陽能光電產品生產企業,申請補助資金單位應提供以下材料:

  (一)專案立項審批檔案(影印件);   (二)太陽能光電建築應用技術方案;   (三)太陽能光電產品生產企業與建築專案等業主單位簽署的中標協議;   (四)其他需要提供的材料。   第八條 申請補助資金單位的申請材料按照屬地原則,經當地財政、建設部門稽核後,報省級財政、建設部門。   第九條 省級財政、建設部門對申請補助資金單位的申請材料進行彙總和核查,並於每年的4月30日、8月30日前聯合上報財政部、住房和城鄉建設部(附表)。

  第十條 財政部會同住房城鄉建設部對各地上報的資金申請材料進行審查與評估,確定示範專案及補助資金的額度。   第十一條 財政部將專案補貼總額預算的70%下達到省級財政部門。省級財政部門在收到補助資金後,會同建設部門及時將資金落實到具體專案。

  第十二條 示範專案完成後,財政部根據示範專案驗收評估報告,達到預期效果的,通過地方財政部門將專案剩餘補助資金撥付給專案承擔單位。   第十三條 補助資金支付管理按照財政國庫管理制度有關規定執行。   第十四條 各級財政、建設部門要切實加強補助資金的管理,確保補助資金專款專用。

對弄虛作假、冒領、截留、挪用補助資金的,一經查實,按國家有關規定執行。   第十五條 本辦法由財政部、住房城鄉建設部負責解釋。   第十六條 本辦法自印發之日起執行。

  附表:太陽能光電技術建築應用財政補助資金申請彙總表

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2樓:

製造太陽電池的半導體材料已知的有十幾種,因此太陽電池的種類也很多。目前,技術最成熟,並具有商業價值的、市場應用最廣的太陽電池是矽太陽電池。

1、矽片切割,材料準備:

工業製作矽電池所用的單晶矽材料,一般採用坩鍋直拉法制的太陽級單晶矽棒,原始的形狀為圓柱形,然後切割成方形矽片(或多晶方形矽片),矽片的邊長一般為10~15cm,厚度約200~350um,電阻率約1ω.cm的p型(全球節能環保網摻硼)。

2、去除損傷層:

矽片在切割過程會產生大量的表面缺陷,這就會產生兩個問題,首先表面的質量較差,另外這些表面缺陷會在電池製造過程中導致碎片增多。因此要將切割損傷層去除,一般採用鹼或酸腐蝕,腐蝕的厚度約10um。

3、制絨:

制絨,就是把相對光滑的原材料矽片的表面通過酸或鹼腐蝕,使其凸凹不平,變得粗糙,形成漫反射,減少直射到矽片表面的太陽能的損失。對於單晶矽來說一般採用naoh加醇的方法腐蝕,利用單晶矽的各向異性腐蝕,在表面形成無數的金字塔結構,鹼液的溫度約80度,濃度約1~2%,腐蝕時間約15分鐘。對於多晶來說,一般採用酸法腐蝕。

4、擴散制結:

擴散的目的在於形成pn結。普遍採用磷做n型摻雜。由於固態擴散需要很高的溫度,因此在擴散前矽片表面的潔淨非常重要,要求矽片在制絨後要進行清洗,即用酸來中和矽片表面的鹼殘留和金屬雜質。

5、邊緣刻蝕、清洗:

擴散過程中,在矽片的周邊表面也形成了擴散層。周邊擴散層使電池的上下電極形成短路環,必須將它除去。周邊上存在任何微小的區域性短路都會使電池並聯電阻下降,以至成為廢品。

目前,工業化生產用等離子幹法腐蝕,在輝光放電條件下通過氟和氧交替對矽作用,去除含有擴散層的周邊。

擴散後清洗的目的是去除擴散過程中形成的磷矽玻璃。

6、沉積減反射層:

沉積減反射層的目的在於減少表面反射,增加折射率。廣泛使用pecvd澱積sin ,由於pecvd澱積sin時,不光是生長sin作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶矽片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用於大批量生產。

7、絲網印刷上下電極:

電極的製備是太陽電池製備過程中一個至關重要的步驟,它不僅決定了發射區的結構,而且也決定了電池的串聯電阻和電池表面被金屬覆蓋的面積。最早採用真空蒸鍍或化學電鍍技術,而現在普遍採用絲網印刷法,即通過特殊的印刷機和模版將銀漿鋁漿(銀鋁漿)印刷在太陽電池的正背面,以形成正負電極引線。

8、共燒形成金屬接觸:

晶體矽太陽電池要通過三次印刷金屬漿料,傳統工藝要用二次燒結才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸,共燒工藝只需一次燒結,同時形成上下電極的歐姆接觸。在太陽電池絲網印刷電極製作中,通常採用鏈式燒結爐進行快速燒結。

9、電池片測試:

完成的電池片經過測試分檔進行歸類。

3樓:匿名使用者

矽片切割→蝕刻→磷擴散→氧化層去除+邊緣絕緣→抗反射層沉積→正面+背面電極印刷→高溫燒結→效率測試→包裝→元件封裝(電池片串焊→電流匯流條焊接→層壓→削邊→安裝接線盒→組框→安規測試→電性測試→el測試→目檢包裝)

太陽能發電系統,太陽能發電系統

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