1樓：匿名使用者
常見問題解答關於貼片電容y5v容量偏低事宜因y5v材質是高介電常數特性的mlcc，產生容量偏低的原因有兩個方面：一方面是測試儀器的型號差異和儀器的各項引數調節；y5v材質的電容，必須滿足測試電平1.0v，測試頻率120hz/1khz（根據容量的大小），環境溫度25℃。
據我們所知一般廠家都使用低檔的檢驗儀器，如：電容表、通用lcr測試儀等，因其本身精度不夠和檢驗方式無法調節，在測試y5v材質一般在：0603 104以上容量；0805 224以上容量；1206 105以上容量；1210 225以上容量；會發現容量偏低狀況。
第二點因x7r 、x5r、y5v材料都是屬於高介電常數特性的mlcc、而其中y5v材料產品本身對溫度和存放時間又最敏感，它在存放時間超過1000小時就會發生容量下降，三到六個月就會產生偏低。是生產mlcc用的y5v材質的一種正常容量特性變化，並非品質問題。其特性符合jis國際規範，對於容質偏低的電容器國際上都有一個通用的解決方法，將偏低的電容置入150℃的環境下預熱一個小時後再測試。
其電容質將恢復到正常值。所以這屬於一種材料吧！
2樓：高中物理精品資料
我們把用來製造片式多層瓷介電容（mlcc）的陶瓷叫電容器瓷。 這裡所說的瓷介就是用電容器瓷製成的陶瓷介質。大家知道， 陶瓷是一類質硬、性脆的無機燒結體。
就其顯微結構而論，大都具有多晶多相結構。其效能往往決定於其成份和結構。當配方確定之後， 能否達到預期的效果，關鍵取決於製造陶瓷粉料的工藝。
按其用途可以分為三類：①高頻熱補償電容器瓷（uj、sl）； ②高頻熱穩定電容器瓷（npo）；③低頻高介電容器瓷（x7r、y5v、z5u）。
按溫度係數分可以分為兩類：①負溫度係數電容器瓷（即高頻熱補償電容器瓷）；②正溫度係數電容器瓷（即平時我們常說的cog、x7r、y5v瓷料）。
按工作頻率可以分為三類：低頻、高頻、微波介質。
高頻熱補償、熱穩定電容器瓷是專供ⅰ類瓷介電容器作介質用， 其瓷料主要成分是mgtio3、catio3、srtio3和tio2再加入適量的稀土類氧化物等配製而成。其特點是介質係數較大，介質損耗小，溫度係數和範圍廣，一般在（+120～-5600）ppm/℃之間可調。高頻熱補償電容瓷常用來製造的負溫產品，其用途最廣的地方就是振盪迴路， 像彩電高頻頭。
大家知道，振盪迴路都是由電感和電容構成， 迴路中的電感線圈一般具有正的電感溫度係數。因此，為了保持振盪迴路中頻率(f=1/2π√ lc )不隨溫度變化而發生漂移， 就必須先用具有適當的負溫度係數的電容器來進行補償。
低頻高介電容器是指強介鐵電陶瓷， 一般用作ⅱ類瓷介電容器的介質。具有自發極化性質的非線性陶瓷材料，一般以鈦酸鋇（batio3）為主體的鐵電陶瓷，其特點是介電係數特別高，一般數千，甚至上萬； 介電係數隨溫度呈非線性變化，介電常數隨施加的外電場有非線性關係。
二、瓷介代號
陶瓷介質的代號是按其陶瓷粉料的溫度特性來命名的。 常用的幾種陶瓷粉料的含義如下：
y5v：溫度特性y代表 －25℃； 5代表＋85℃；
溫度係數v代表 －80％ ～ ＋30％
z5u：溫度特性z代表 ＋10℃； 5代表＋85℃；
溫度係數u代表 －56％ ～ ＋22％
x7r：溫度特性x代表 －55℃； 7代表＋125℃
溫度係數r代表 ± 15％
np0：溫度係數是30ppm/℃
三、其它電子陶瓷的產品及用途
壓電陶瓷：利用其機－電轉換效能以製造換能器、 濾波器及變壓器等。
半導體瓷：其電氣效能對外界物理條件極其敏感， 可製造各種敏感元件。比如熱敏電阻，氣敏電阻。
磁性瓷：即鐵氧體瓷，是鐵磁性氧化物。 用以製造高頻或微波鐵氧體器件、以及恆磁器件。如vcd中的磁珠。
微波介質瓷：其品質因素大，頻率特性好，可製作聲表面波濾波器(sawf)；陶瓷濾波器(cf)。
貼片電容的材質規格
貼片電容目前使用npo、x7r、z5u、y5v等不同的材質規格，不同的規格有不同的用途。下面我們僅就常用的npo、x7r、z5u和y5v來介紹一下它們的效能和應用以及採購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對於上述不同效能的電容器可能有不同的命名方法，這裡我們引用的是敝司三巨電子公司的命名方法，其他公司的產品請參照該公司的產品手冊。
npo、x7r、z5u和y5v的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由於填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
一 npo電容器
npo是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
npo電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小於±0.3δc。
npo電容的漂移或滯後小於±0.05%，相對大於±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小於±0.
1%。npo電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。npo電容器適合用於振盪器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
二 x7r電容器
x7r電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
x7r電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%δc，表現為10年變化了約5%。
x7r電容器主要應用於要求不高的工業應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
三 z5u電容器
z5u電容器稱為」通用」陶瓷單片電容器。這裡首先需要考慮的是使用溫度範圍，對於z5u電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對於上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下z5u電容器有最大的電容量。
但它的電容量受環境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。
儘管它的容量不穩定，由於它具有小體積、等效串聯電感（esl）和等效串聯電阻（esr）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用範圍。尤其是在退耦電路的應用中。
z5u電容器的其他技術指標如下:
工作溫度範圍 +10℃ --- +85℃
溫度特性 +22% ---- -56%
介質損耗 最大 4%
四 y5v電容器
y5v電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃範圍內其容量變化可達+22%到-82%。
y5v的高介電常數允許在較小的物理尺寸下製造出高達4.7μf電容器。
y5v電容器的其他技術指標如下:
工作溫度範圍 -30℃ --- +85℃
溫度特性 +22% ---- -82%
介質損耗 最大 5%
電容的主要特性引數：
（1） 容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差範圍。一般使用的容量誤差有：j級±5%，k級±10%，m級±20%。
精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們採用不同的誤差等級。
常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：d級—±0.5%；f級—±1%；g級—±2%；j級—±5%；k級—±10%；m級—±20%。
（2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對於結構、介質、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
（3） 溫度係數：在一定溫度範圍內，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度係數越小越好。
（4） 絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。
（5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內發熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
（6） 頻率特性：電容器的電引數隨電場頻率而變化的性質。在高頻條件下工作的電容器，由於介電常數在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。
損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分佈引數，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的效能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。
不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型雲母電容器在250mhz以內；圓片型瓷介電容器為300mhz；圓管型瓷介電容器為200mhz；圓盤型瓷介可達3000mhz；小型紙介電容器為80mhz；中型紙介電容器只有8mhz。
這個電容是什麼型別的電容標識是什麼意思呢
這種封裝的應該是鉭電容,10uf,耐壓35v,分正負極的,圖中右邊有灰色的引腳是正極。這個是bai 磁介質的電容。電容一般du是zhi兩個資料,電壓和容量。dao一般容量用微法 版pf 和微微權法ppf表示。像你這種容量應該比較小的,ppf的。你上面的標示我不太懂。這種電容一般電壓也很低的。一般電解...
電容標籤能解釋下意思嗎,電容上的標識分別是什麼意思
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j,k代表誤差等級,n表示nf,1nf 10 9f 哥們,問題沒有問清楚,n是一個單位 比如104就可以寫成 104 10 10 4 0.1uf 100nf 都是代表電容的容量的 薄膜電容上的 k m j分別代表什麼意思 k代表容量偏差du正負10 m代表偏差正負zhi20 j代表偏差正負5 薄膜電...