請教一下能不能用三極體把電流放大到3A啊什麼型號的可以承受那麼大的電流

2021-04-22 05:34:47 字數 3707 閱讀 9515

1樓:匿名使用者

當然可以了。但是相應你的驅動電流也是要注意的。

現在的三極體放大倍內

數一般在100多,如果單管容放大那麼你的b極電流需要30ma大功率三極體很多的。。

2sd1427 n1500v 5a

2sd1431 n1500v 5a

都可以。

2樓:匿名使用者

3dd15系列就可以達到,但是三極體要求的工作電流很最大電流不一樣,電子器件一旦過流很容易壞,所以你最好找額定電流大很多的元件,具體要求相關的書籍上有啊,你去看看資料吧

3樓:我是你的小夥伴

當然可以.電晶體有大功率的,型號分類很多,不知道你做何用途,不好說具體型號。

我求一個200ma訊號電流用三極體放大器放大2-3a電流帶繼電器的電路圖那位高手請幫忙謝!

4樓:匿名使用者

用光電開關的bai輸出訊號通過一個電

du阻(3k~10k)接zhi到三極體的基極,dao然後三極體的內集電極接繼電器的容線圈一端,線圈出來這端接電源正極,三極體發射極接電源地,即負極。電源電壓為繼電器線圈所表明的電壓,一般為12v或24v,這要根據繼電器的線圈標準提供合適的電源。

5樓:匿名使用者

一般的小繼電器200ma,已經足夠了,繼電器還有一個指標就是電壓.

如果最終繼電器電流不交內大,可以用一個容小繼電器驅動一個大繼電器.

用**管也可以,同樣也要考慮電壓.

另外2-3a電流也不小了,要注意三極體的引數.

三極體放大的條件是什麼?

6樓:babyan澀

當加在三極體發射

結的電壓大於pn結的導通電壓,並處於某一恰當的值時,三極體的發射結正向偏置,集電結反向偏置,這時基極電流對集電極電流起著控制作用,使三極體具有電流放大作用,其電流放大倍數β=δic/δib,這時三極體處放大狀態。

7樓:匿名使用者

三極體能夠放大訊號必須具備一定的外部條件,即給三極體的發射結加正向電壓(習慣稱正向偏置或正偏),集電結加反向電壓(習慣稱反向偏置或反偏)。三極體的主要應用分為兩個方面。一是工作在飽和與截止狀態,用作電晶體開關;二是工作在放大狀態,用作放大器。

放大區:此時ic=

8樓:匿名使用者

1 三極體的結構和分類

其共同特徵就是具有三個電極,這就是「三極體」簡稱的來歷。通俗來講,三極體內部為由p型半導體和n型半導體組成的三層結構,根據分層次序分為npn型和pnp型兩大類。

上述三層結構即為三極體的三個區, 中間比較薄的一層為基區,另外兩層同為n型或p型,其中尺寸相對較小、多數載流子濃度相對較高的一層為發射區,另一層則為集電區。三極體的這種內部結構特點,是三極體能夠起放大作用的內部條件。

三個區各自引出三個電極,分別為基極(b) 、發射極(e)和集電極(c)。

如圖b所示,三層結構可以形成兩個pn結,分別稱為發射結和集電結。三極體符號中的箭頭方向就是表示發射結的方向。

三極體內部結構中有兩個具有單向導電性的pn結,因此當然可以用作開關元件,但同時三極體還是一個放大元件,正是它的出現促使了電子技術的飛躍發展。

2 三極體的電流放大作用

直流電壓源vcc應大於vbb,從而使電路滿足放大的外部條件:發射結正向偏置,集電極反向偏置。改變可調電阻rb,基極電流ib,集電極電流ic 和發射極電流ie都會發生變化,由測量結果可以得出以下結論:

(1) ie = ib + ic ( 符合克希荷夫電流定理)

(2) ic ≈ ib ×? ( ?稱為電流放大係數,可表徵三極體的電流放大能力)

(3)△ ic ≈ △ ib ×?

由上可見,三極體是一種具有電流放大作用的模擬器件。

3 三極體的放大原理

以下用npn三極體為例說明其內部載流子運動規律和電流放大

原理,1、發射區向基區擴散電子:由於發射結處於正向偏置,發射區的多數載流子(自由電子)不斷擴散到基區,並不斷從電源補充進電子,形成發射極電流ie。

2、電子在基區擴散和複合:由於基區很薄,其多數載流子(空穴)濃度很低,所以從發射極擴散過來的電子只有很少部分可以和基區空穴複合,形成比較小的基極電流ib,而剩下的絕大部分電子都能擴散到集電結邊緣。

3、集電區收集從發射區擴散過來的電子:由於集電結反向偏置,可將從發射區擴散到基區併到達集電區邊緣的電子拉入集電區,從而形成較大的集電極電流ic。

4 三極體的輸入輸出特性

三極體的輸入特性是指當集-射極電壓uce為常數時,基極電流ib與基-射極電壓ube之間的關係曲線。

對矽管而言,當uce超過1v時,集電結已經達到足夠反偏,可以把從發射區擴散到基區的電子中的絕大部分拉入集電區。如果此時再增大uce ,只要ube保持不變(從發射區發射到基區的電子數就一定), ib也就基本不變。就是說,當uce超過1v後的輸入特性曲線基本上是重合的。

由圖可見,和二極體的伏安特性一樣,三極體的輸入特性也有一段死區,只有當ube大於死區電壓時,三極體才會出現基極電流ib。通常矽管的死區電壓約為0.5v,鍺管約為0.

1v。在正常工作情況下,npn型矽管的發射結電壓ube為0.6~0.

7v,pnp型鍺管的發射結電壓ube為-0.2~ -0.3v。

三極體的輸出特性是指當基極電流ib一定時,集電極電流ic與集-射極電壓uce之間的關係曲線。在不同的ib下,可得出不同的曲線,所以三極體的輸出特性是一組曲線。通常把輸出特性曲線分為三個工作區:

1、放大區:輸出特性曲線的近於水平部分是放大區。在放大區, ic = ib ×?

,由於在不同ib下電流放大係數近似相等,所以放大區也稱為線性區。**管要工作在放大區,發射結必須處於正向偏置,集電結則應處於反向偏置,對矽管而言應使ube>0,ubc<0。

2、截止區: ib = 0的曲線以下的區域稱為截止區。實際上,對npn矽管而言,當ube<0.

5v時即已開始截止,但是為了使三極體可靠截止,常使ube≤0v,此時發射結和集電結均處於反向偏置。

3、飽和區:輸出特性曲線的陡直部分是飽和區,此時ib的變化對 ic的影響較小,放大區的?不再適用於飽和區 。在飽和區, uce<ube,發射結和集電結均處於正向偏置。

9樓:匿名使用者

樓上貌似是說錯的。

三極體有三個電極(e、b、c),構成了兩個pn結(發射結、集電結)所以放大條件的標準說法是:發射結(b-e之間)正偏,集電結(b-c)反偏。而不是一樓所說的那樣。

正偏,反偏都是針對pn結而言,電極沒有正偏反偏一說。

所謂的正偏就是,pn結加正向電壓,即p區電壓要高於n區,如果正向電壓高於一定程度就可以形成正向導通。而反偏剛好反過來,pn結加反向電壓,n區電壓高於p區,pn結在這個時候通常顯示出截止特性。

10樓:匿名使用者

三極體放大的基本條件是:集電極反偏,發射極正偏

11樓:王梓慧

加的電壓大於開啟電壓(一般取0.7v)

be電壓大於0.7

ce電壓大於be

12樓:匿名使用者

集電極電位大於基極電位

13樓:匿名使用者

三極體工作在放大狀態的內部條件是製造時使基區薄且摻雜濃度低,發射區的摻雜濃度遠大於集電區。 外部條件是發射結正偏,集電結反偏。

如有疑問可以借一本電工電子技術 來細看一下。

14樓:許願樹下的少年

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