1樓：匿名使用者
晶體的晶格欄柵結構是抄x射線發生衍射現象bai的理想條件.
無機晶體、du混zhi晶體、金屬晶體、合金體、共熔dao體、有機化合物晶體、高分子晶體、生物大分子晶體等晶體類物質以及上述物質的部分晶體、粉末微晶體等都是x射線衍射研究的當然物件.
有機化合物,已經有相當一部分被製備成晶體進行了x射線衍射研究,但還遠不是全部.有些有機化合物,你沒有測定x射線衍射研究、但別人可能已經進行了.你把它製備成晶體、半晶體、部分結晶體、粉末微晶體、甚至製備失敗沒有多少結晶度的實驗品或者完全非晶體,都可以進行x射線衍射測定結構.
目前,進行x射線衍射測定是需要成本的.如果不怕花費,你可以把你手頭上的任何有機化合物進行測定.最低的收穫可能就是 該物質是100%的非晶體!
但是,不能忘記,x射線衍射實驗的目的是為了測定晶體結構、利用晶形晶相鑑定物質、或測定結晶度、含量等等.因此,這些樣品的形態應該是固態、最低也應該是液晶態,液態或氣態顯然是不妥的.這樣說,就不是目前所有的有機化合物了.
如何通過粉末x射線衍射譜獲取晶體的結構資訊？ 15
x射線在晶體上產生衍射的條件是什麼
2樓：匿名使用者
一個小晶體衍射x射線，其衍射方向是與晶體的週期性（d）有關的。一個衍射總可找到一個晶面族hkl，使它與入射線在此面族上符合反射關係，就以此面族的符號hkl作為此衍射之指數。其間關係用布拉格方程（式1）來表示。
2dhklsinθhkl=nλ ⑴
式中，θhkl為入射線或反射線與晶面族之間的夾角（見圖2），λ為入射x射線波長，n為反射級數。
衍射線的強度是與被重複排列的原子團的結構，也即和原子在晶胞中的分佈裝況（座標）有關，其間的關係由方程式⑵表示
式中，e稱為累積能量，i0為入射線強度，e,m為電子的電荷與質量，c為光速，λ為x射線波長，vu為晶胞體積，稱洛侖茲偏振（lp）因子，|f|為結構振幅，e-2mt為溫度因子，a為吸收因子，v為小單晶體的體積，ω為樣品的轉速，其中結構因子
=|fhkl|eiαhkl ⑶
式中，fj,xj,yj,zj 分別為第j個原子的原子散射因子及它在晶胞中的分數座標（以晶胞邊長為1）。n為晶胞中的原子數。αhkl為hkl衍射的相角。
從此式可知衍射線強度是與各原子在晶胞中的位置（即結構）有關的，故反過來可從衍射線強度的分析解出晶胞中各原子的位置，即晶體結構。其方法是 ⑷
通過晶胞中的電子密度ρ（x,y,z）的計算。
故若知各衍射的fhkl，就可按⑷式計算晶胞的三維電子密度圖。原子所在處電子密度應該很高，故依此可定出原子在晶胞中位置，得出晶體結構。但是從衍射強度獲得的是結構振幅|f|，|f|與f之間的關係見式⑶。
如何求得各hkl衍射的相角αhkl就成為x射線單晶衍射解晶體結構的關鍵。
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x射線衍射儀能進行哪些材料性質的測試
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