SCR,GTO,MOSFET,GTR,IGBT對觸發脈衝的異

2021-04-19 05:13:24 字數 3880 閱讀 4901

1樓:亢秀花表歌

都是通過

pulse

generator

產生驅動信bai號,可du以設定相應的zhi佔空比,如scr就可以設定脈衝週期為dao

電源週期1/50,脈衝寬度專為窄脈屬衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。

2樓:蒼德文阿衣

做實驗,不炸幾bai個不長記性

1)注du

意防靜電zhi,尤其是

daomos

2)gto,igbt,gtr這些高壓大電流的版,注意別

權弄死自己

3)有條件可以加些保護監控電路,殼溫監測、過流監測等,情況不好直接斷電,保證實驗室中電路保險合格,發生異常可以自動跳閘等等

其他至於炸不炸的,原因很多,驅動,散熱等等,不用太擔心炸的聲音還沒個屁響

電力電子技術問題 scr gto gtr igbt mosfet 對觸發脈衝要求的異同點

3樓:中華之星

都是通過

制 pulse generator 產生驅動訊號,可以設定相應的佔空比,如scr就可以設定脈衝週期

為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。

電力電子scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝要求的異同點 50

4樓:tang破曉

igbt驅動電路的特點是:驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。 gtr驅動電路的特點是:

驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗;關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。 gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路、關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。

電力mosfet驅動電路的特點是:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。

scr.gto.gtr功率mosfet。igbt的各自優缺點

5樓:lin夕子

上述提到的器件

都屬於功率開關器件。若按參與導電的載流子是一種還是兩種,可分為單極器件和雙極器件。

其中屬於雙極器件的有:scr、gto、gtr以及igbt;單極器件的是功率mosfet。scr是可控矽整流器,也叫閘流體,主要用在類似於二極體的領域,其與二極體不同的是,正向工作時,可通過門極電流來觸發導通。

而不像是二極體過了導通電壓就能直接導通,但其關斷不能通過門極關斷,而是將電流減小至某個值以下,或是直接的換向關斷。gto是gate turn-off thyristor, 為門極可關斷閘流體,即可以通過控制門極關斷閘流體。

gtr應該是giant transistor,為巨型電晶體,導通工作時要求發射結集電結均正偏,與普通bjt工作類似。以上的器件主要用於大電流,高壓,低頻場合。

而功率mosfet由於是單極型器件,電流處理能力相對較弱,但由於其在開關過程中,沒有載流子儲存的建立與抽取,其頻率特性好,用於高頻低壓領域。

而igbt,為insulated gate bipolar transistor,是絕緣柵雙極場效電晶體,為電壓控制電流,柵控器件,其工作頻率比普通的雙極器件高,電流處理能力比mosfet要強,一般用於中高頻中高壓領域。

igbt,gtr,vmosfet,scr,gto的開關速度比較?答案

6樓:igbt驅動

gto一般最高只能做到

幾百hz,但功率較大,已達到3000a、4500v的容量。

scr 的頻率一般不超過10khz,電流可以到幾千a,電回壓6000v以上。答

gtr目前其額定值已達1800v/800a/2khz、1400v/600a/5khz、600v/3a/100khz。

igbt的頻率一般不會超過100khz,但高頻效能比gtr好。

mosfet 的頻率理論上可以做到1mhz(1000khz),應用範圍比較多的頻率段應該為幾百khz左右。

所以排序大概為:gto

另外,設計電路中選擇功率器件不能只考慮頻率,還有如開關損耗、驅動電路的設計、電流電壓等級,所以說這是個折衷考慮的結果。

做scr ,gto,mosfet,gtr,igbt實驗時注意事項有哪些? 5

7樓:匿名使用者

做實驗,不炸幾個不長記性

1)注意防靜電,尤其是mos

2)gto,igbt,gtr這些高壓大電版流的,注意權別弄死自己3) 有條件可以加些保護監控電路,殼溫監測、過流監測等,情況不好直接斷電,保證實驗室中電路保險合格,發生異常可以自動跳閘等等

其他至於炸不炸的,原因很多,驅動,散熱等等,不用太擔心炸的聲音還沒個屁響

8樓:匿名使用者

注意下一致性和工作頻率,就是驅動要搞好,要不一開機沒幾分鐘就炸了

scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝的異同點 250

9樓:

都是通過 pulse generator 產生驅動訊號,可以設定相應的佔空比,如scr就可以設定脈衝週期為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。

請問igbt、gto、gtr與mosfet的驅動電路有什麼特點

10樓:匿名使用者

igbt成為絕緣柵型場效電晶體 gto 門極可關斷閘流體 gtr 巨型閘流體 mosfet

如果你採用的是王

兆安的第五版的 那麼書上的結論如下:

1.gto的驅動電路:分為脈衝變壓器耦合式和直接耦合兩種,直接耦合應用範圍廣,但是功耗大,效率低。給出的例子就是其驅動特點:

原方n1到副方n2出項兩種導通:

正向:c3放電—r1—v1(觸發導通)—l—觸發gto

c1放電—r2—v2—l—gto

反向關斷:c4放電 —關斷gto—門級—l—v3

剩下三種推到方法類似....

2 gtr: 圖中給的分為電氣隔離和電晶體放大電路兩部分組成,主要是通過光耦合器控制三極體的原理控制觸發電路

3 mosfet和igbt都是電壓驅動器件,要求驅動電路有較小的輸出電阻。

11樓:無聊的說

答:igbt驅動電路的特點是:驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。

gtr驅動電路的特點是:驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗,關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。

gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路,關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。

電力mosfet驅動電路的特點:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。

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