1樓：匿名使用者
按你的電路圖（第一圖），把vcc到電源地的電壓差全部加在兩個三極體的發射結上，那兩個三極體至少立刻就會燒燬一個。
你的第二圖中不是圖騰柱輸出，屬於oc輸出。
mos管驅動為什麼要用圖騰柱?用一個三極體不行嗎?
2樓：匿名使用者
1、mos管驅動要用圖騰柱，是因為mos管的柵極輸入電阻極大，使得驅動電路必須以非常大的電流去給柵極電容充電和放電。當脈衝頻率非常高時，這個電容所造成的影響會非常突出，由此所產生的柵極電流峰值甚至可以超過10a，從而產生電流，因此要選驅動能力強的圖騰柱電路來提供柵極訊號。如果柵極訊號是脈衝，一個三極體也可以。
2、mos管是金屬(metal)-氧化物(oxid)-半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
3、三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的pn結，兩個pn結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有pnp和npn兩種。
mosfet幾種典型驅動電路
3樓：趙奎設計
目前主要採用圖騰柱驅動，不少ic內部也是這結構，這種推動可精確控制上升下降時間，再就是變壓器驅動，只要達到灌、吸輸入電容電荷的目的就行，根據不同的電路拓撲自己選擇驅動。這個做不好會燒管的，不同的負荷狀態下，驅動電路的取值也不一樣，建議參考部分書，或者找現成的驅動ic，模組化設計電路，成功率高，研發速度快
4樓：
這要看你要驅動什麼，電機？繼電器？是交流訊號還是直流訊號？需要推拉，還是單端？
圖騰柱電路有沒有上下都是用pnp的?
5樓：黑豹
沒見過。由於生產npn矽管成本和效能都比pnp管好，pnp管在電路中用的很少，同時npn管是用正電壓工作，看著也舒服，pnp總是彆扭些。
mosfet驅動需要注意些什麼？
6樓：__與非
mosfet驅動一般需要注意這三點：
1、低壓應用
當使用5v電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由於三極體的be有0.7v左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3v。
這時候，我們選用標稱gate電壓4.5v的mos管就存在一定的風險。 同樣的問題也發生在使用3v或者其他低壓電源的場合；
2、寬電壓應用
輸入電壓並不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致pwm電路提供給mos管的驅動電壓是不穩定的。為了讓mos管在高gate電壓下安全，很多mos管內建了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。
在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，mos管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗；
3、雙電壓應用
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5v或者3.3v數字電壓，而功率部分使用12v甚至更高的電壓。兩個電壓採用共地方式連線。
這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的mos管，同時高壓側的mos管也同樣會面對1和2中提到的問題。
7樓：匿名使用者
主要是驅動電壓合適，一般越大的mosfet越要求有一定的驅動能力。一般高壓的mosfet的驅動在12v最好。30v及以下的mosfet驅動3v-5v就夠了。
圖騰柱驅動電路的工作原理 100
8樓：
這個應該不是圖騰柱電路，真正的圖騰柱電路長這樣：
圖騰柱式的電路結構是怎麼一回事？
9樓：藕吃西紅柿
圖騰柱就是上下各一個三極體，上管為npn，c極(集電極)接正電源，下管為pnp，c極(集電極)接地。兩個b極(基極)接一起，接輸入，上管和下管的e極(發射極)接到一起，接輸出，像一個「圖騰柱」。用同一訊號驅動兩個b極。
驅動訊號為高時，npn導通；訊號為低時，pnp導通。利用兩個電晶體構成推輓輸出。 用來匹配電壓，或者提高io口的驅動能力。
上下兩個輸出管，從直流角度看是串聯，兩管聯接處為輸出端。上管導通下管截止輸出高電平，下管導通上管截止輸出低電平，如果電路邏輯可以上下兩管均截止則輸出為高阻態。
在開關電源中，類似的電路常稱為半橋。
圖騰柱電路的變種
一種是兩管全用npn，但是下管通過一個反相器接到輸入，也起到同樣作用；
還有一種是下管的e接到地，兩管之間靠一個穩壓管代替負電源。
閘電路的輸出極採用一個上電阻接一個npn型電晶體的集電極，這個管子的發射極接下面管子的發射極同時輸出；下管的集電極接地。兩管的基極分別接前級的控制。由於此結構畫出的電路圖有點兒象印第安人的圖騰柱，所以叫圖騰柱式輸出（也叫圖騰式輸出）。
10樓：匿名使用者
1、結構介紹：圖騰柱就是上下各一個三
極管，上管為npn，c極(集電極)接正電源，下管為pnp，c極(集電極)接地。兩個b極(基極)接一起，接輸入，上管和下管的e極(發射極)接到一起，接輸出，像一個「圖騰柱」。用同一訊號驅動兩個b極。
驅動訊號為高時，npn導通；訊號為低時，pnp導通。利用兩個電晶體構成推輓輸出。 用來匹配電壓，或者提高io口的驅動能力。
上下兩個輸出管，從直流角度看是串聯，兩管聯接處為輸出端。上管導通下管截止輸出高電平，下管導通上管截止輸出低電平，如果電路邏輯可以上下兩管均截止則輸出為高阻態。在開關電源中，類似的電路常稱為半橋。
2、圖騰柱電路的變種：一種是兩管全用npn，但是下管通過一個反相器接到輸入，也起到同樣作用；還有一種是下管的e接到地，兩管之間靠一個穩壓管代替負電源。閘電路的輸出極採用一個上電阻接一個npn型電晶體的集電極，這個管子的發射極接下面管子的發射極同時輸出；下管的集電極接地。
兩管的基極分別接前級的控制。由於此結構畫出的電路圖有點兒象印第安人的圖騰柱，所以叫圖騰柱式輸出（也叫圖騰式輸出）。
3、作用：一方面增加了驅動能力，另一方面，當pwm的輸出端為低電平的時候，下管為mos的結電容提供放電迴路。
求一個微控制器控制mos管的電路圖
11樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
12樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp一個用於mos開啟驅動，一個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～**f，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
13樓：love肖工
直接pwm輸出口接一個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接一個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供一個通道給g極放電，加速關斷。
為什麼需要MOSFET驅動器,MOSFET為什麼要驅動電路
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圖騰柱就是上下各一個三極體，上管為npn，c極 集電極 接正電源，下管為pnp，c極 集電極 接地。兩個b極 基極 接一起，接輸入，上管和下管的e極 發射極 接到一起，接輸出，像一個 圖騰柱 用同一訊號驅動兩個b極。驅動訊號為高時，npn導通 訊號為低時，pnp導通。利用兩個電晶體構成推輓輸出。用來...
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