1樓：吾生獨愛陳
那條線接到襯底上，也就是s極跟襯底相連。其實d極跟s極結構都是一樣的，襯底接d極或s極效果都一樣，但是業界都接s極上。實際應用中，mos管襯底和s極都是相連的。
mos管符號箭頭指向問題？
2樓：立深鑫電子
在所有半導體元件中, 箭頭的意義表示p-n結的方向.
這一傳統記號是從二極體傳下來的.
上**釋 (先做個宣告: 紅色代表p型半導體, 藍色代表n型半導體):
n-channel-jfet:
好的我知道你們要問為啥我的箭頭在中間, 題主的箭頭在邊上!
我們給它上個電...
: n-channel-jfet (biased):
你看, 漏極和柵極之間的pn結是不是沒了?
對應:再來看看enhanced mosfet:
n 溝道:
對應：p溝道：對應：
n溝道場效電晶體和p溝道效應管中s極都有一個帶箭頭是什麼意思？？為什麼一個指向外，一個指向裡？？
3樓：匿名使用者
根據我的實際試驗。圖中的箭頭方向是元件被控制時的電流方向。注意看哦，是被控制時的。
4樓：匿名使用者
用的材料不同。箭頭是導電流方向
關於場效電晶體圖形符號的問題
5樓：摩綠善成禮
在mos
場效bai
管圖形符號
中，在dud、s極的中間
有一引線zhi
(它不是dao帶
箭頭的，專
帶箭頭的是s極)，表示
襯底。不管
屬是p型還是n的mos管，它們的襯底都是
雜質濃度
較低的p型(或n型)矽襯底。通常在
邏輯電路
中，不用考慮襯底，
電路圖上一般也不標出襯底。
cpu供電mos管的d極相連s極相連,怎麼一回事
6樓：裸嗨
精英p4m266a 主機板,微盛晶片的,有四個管子,其中三個管子方向相同,但有一個方向是橫著的,像945主機板的版下管.不知權道是不是兩相電路.那個不同方向的管子是不是下管.
我只是看到過,沒去測. 檢視原帖》
希望採納
高分請教mos管問題
7樓：匿名使用者
呵呵，我來copy給你解答吧
首先是mos符號，一bai樓的說的不錯，du有很多zhi種表示方法。一般來說，我dao
們都是把右邊三條豎線連在一起的，也是比較通用的表示方法。
1.右邊三條線表示漏極（d），襯底（b），以及源極（s），nmos從上到下是d,b,s，pmos從上到下是s,b,d
2.是的，串聯的時候，相鄰的兩個極需要連在一起。
3.接到vdd的是pmos，接到vss的是nmos。是為了保證襯底電位的穩定。因為溝道的形成就是靠gate端和襯底b之間的壓差，即我們通常說的開啟閾值。
4.參考第一條的解答，柵極是最左邊的豎線或和這條豎線相連的橫線
5.理論上，真正的溝通只在柵極和襯底之間，及長豎線和中間短豎線之間。
mos符號和實際的物理結構之間是有一些差異的，你可以去搜一些器件的剖面圖（cross section），結合上面的解釋，看一看就明白了。
8樓：匿名使用者
沒人接招，分給我吧，反正你也收不回去了。我拿去懸賞。
好嘛，我試著來回答你內。
關於mos管的電路符容號有很多種，各有各的畫法。大體上都有4根豎線（有的是有虛線的，那是增強型）。這是肯定的。
如果一定要分開右邊的3條豎線。那麼，上面的那個是d，漏極，下面的是s，原籍。g，柵極就是橫著那根線。
襯底可以理解成中間那條豎線，溝道可以理解成襯底和左邊那條線之間的東西。但是，溝道是要用箭頭判斷的。是n還是p，。
2和3我沒看明白，你還是畫個圖吧？為什麼要匿名呢？匿名要多給分的。
你的分很多麼？
三極體符號中間的箭頭方向是p->n，而mos則正好相反，請大俠賜教是為什麼，謝謝。
9樓：匿名使用者
在三極體中就是由p指向n的，在mos由於只有一種材料，但也是符合這個規律的，n型材料的箭頭指向n，p型材料的箭頭背向p，你仔細看下。
mos管的源極和漏極有什麼區別
10樓：四舍**入
一、指代不同
1、源極：簡稱場效電晶體。t僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少ic內部的驅動， 或驅動比晶片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊n型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的p型區（用p+表示），就形成兩個不對稱的p+n結。把兩個p+區並聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在n型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個p區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在n型矽片兩端各引出一個電極。
11樓：匿名使用者
1、區別：源極(source)source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出，洩漏，中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。
2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
12樓：血刺廢車
mos管的定義：場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域，用p+表示，形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極d和源極s。
把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓，n區中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極s出發， 流向漏極d。
電流方向由d指向s，稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的，故稱為n溝道結型場效電晶體。
場效電晶體（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常製成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品
時已把源極和襯底連線在一起了
，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。
13樓：匿名使用者
對於絕緣柵nmos管，接高壓為漏端，接低壓為源端。pmos剛好相反。從原理上，nmos載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，pmos載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
14樓：一梔穿雲箭
源極: 引入載流子
漏極: 漏出載流子
如何區分N溝道MOS管的各級MOS管怎麼區分N溝道和P溝道呢？
這個最好看一下該型號管子的pdf，比較保險，大功率的時候，n mosfet一般字朝自己，腳向下，從左到右，g，d，s，背後的散熱片連d。一般寫在pdf的最後一頁 也就是封裝那頁 或第一頁 在各種引數和曲線之前 如果你平常比較關注這方面，其實你會發現，這裡面挺有規律的。導通特性 nmos的特性，vgs...
用光耦驅動MOS管，控制電機的時候，MOS管持續導通是什麼原因（附電路圖）
有mos管的開啟電壓參bai數嗎？du 設引數為ug，則要zhi求 12xr4 r2 r3 r4 1.1ug由於以上電阻通過的電dao流不必太大，內 可以去k級電阻，如容ug 3v，r2 r3 r4 可取20k，則r4 5.1k，r2 6.8k，r3 6.8k r5的數值和電磁閥的電流有關，電磁閥電...
這是什麼mos管,引腳分別是啥,MOS管的引腳,GSD分別代表什麼
這個不是mos管,是一個穩壓晶片,輸入15 17v輸出12v。不同型號,引數不同,但是輸出都是12v mos管的引腳,g s d分別代表什麼?g gate 柵極 s source 源極 d drain 漏極。n溝道的電源一般接在d,輸出s,p溝道的電源一般接在s,輸出d。增強耗盡接法基本一樣。電晶體...