電阻率的概念是什麼,它和溫度的關係是怎樣的。隨著溫度的增加

2021-03-27 17:19:22 字數 5363 閱讀 1151

1樓:行在中間的孤

導體的電阻率是用來表示各種物質電阻特性的物理量。

某種物質所製成的原件(常溫下20°c)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質的電阻率。

電阻率與導體的長度、橫截面積等因素無關,是導體材料本身的電學性質,由導體的材料決定,且與溫度有關。

對於一般的金屬導體來說,溫度升高,導體的電阻率增大。因為導體中的電子熱運動加劇導致電子定向移動時的阻力增大。

電阻率越大,表示電阻的導電效能越差。

電阻率與溫度的關係?

2樓:匿名使用者

金屬材料在溫度不高時,ρ(ρ為電阻率——常用單位ω·mm2/m)與溫度t(℃)的關係是ρt=ρ0(1+at),式中ρt與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率。

α是電阻率的溫度係數,與材料有關。錳銅的α約為1×10-1/℃(其數值極小),用其製成的電阻器的電阻值在常溫範圍下隨溫度變化極小,適合於作標準電阻。

已知材料的ρ值隨溫度而變化的規律後,可製成電阻式溫度計來測量溫度。半導體材料的α一般是負值且有較大的量值。

實驗證明,絕大多數金屬材料的電阻率溫度係數都約等於千分之4左右,少數金屬材料的電阻率溫度係數極小,就成為製造精密電阻的選材,例如:康銅、錳銅等。

擴充套件資料

電阻率較低的物質被稱為導體,常見導體主要為金屬,而自然界中導電性最佳的是銀,其次為半導體,矽鍺。當存在外電場時,金屬的自由電子在運動中不斷和晶格節點上做熱振子的正離子相碰撞,使電子運動受到阻礙,因而就具有了一定的電阻。

其他不易導電的物質如玻璃、橡膠等,電阻率較高,一般稱為絕緣體。介於導體和絕緣體之間的物質(如矽) 則稱半導體。電阻率的科學符號為 ρ(rho)。

已知物體的電阻,可由電阻率ρ、長度 l 與截面面積a 計算:ρ=ra/i,在該式中, 電阻r單位為歐姆,長度 l 單位為米,截面面積 a 單位為平方米,電阻率 ρ單位為歐姆·米。

3樓:匿名使用者

單一金屬:電阻率隨溫度的升高而升高【成線性關係】; 合金:電阻率幾乎不隨溫度的變化而變化【標準電阻】; 絕緣體和半導體:隨溫度的升高而減少【不成線性關係】。

4樓:匿名使用者

金屬電阻率隨溫度上升加大

石墨電阻率隨溫度上升減小

5樓:匿名使用者

普通電阻電阻率隨溫度升高而升高 也就是說溫度升高後 電阻變大

6樓:匿名使用者

電阻率越大,溫度越高

電阻和溫度的關係?

7樓:demon陌

金屬導體溫度越高,電阻越大,溫度越低,電阻越小。

超導現象:當溫度降低到一定程度時,某些材料電阻消失。

電阻溫度換算公式: r2=r1*(t+t2)/(t+t1) r2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.

1988ω 計算值 80 a t1-----繞組溫度 t------電阻溫度常數(銅線取235,鋁線取225) t2-----換算溫度(75 °c或15 °c) r1----測量電阻值 r2----換算電阻值。

在溫度變化範圍不大時,純金屬的電阻率隨溫度線性地增大,即ρ=ρ0(1+αt),式中ρ、ρ0分別是t℃和0℃的電阻率 ,α稱為電阻的溫度係數。多數金屬的α≈0.4%。

由於α比金屬的線膨脹顯著得多( 溫度升高 1℃ , 金屬長度只膨脹約0.001%) ,在考慮金屬電阻隨溫度變化時 , 其長度 l和截面積s的變化可略,故r = r0 (1+αt),式中和分別是金屬導體在t℃和0℃的電阻。

8樓:匿名使用者

溫度對不同物質的電阻值均有不同的影晌。

導電體在接近室溫的溫度,良導體的電阻值,通常與溫度成正比:

r=r0+at

上式中的a稱為電阻的溫度係數。

半導體未經摻雜的半導體的電阻隨溫度而下降,兩者成幾何關係:

r=r0×e^(a/t)

有摻雜的半導體變化較為複雜。當溫度從絕對零度上升,半導體的電阻先是減少,到了絕大部份的帶電粒子 (電子或電洞/空穴) 離開了它們的載體後,電阻會因帶電粒子的活動力下降而隨溫度稍為上升。當溫度升得更高,半導體會產生新的載體 (和未經摻雜的半導體一樣) ,原有的載體 (因滲雜而產生者) 重要性下降,於是電阻會再度下降。

9樓:菊次狼

有的電阻隨著溫度的身高變小,有的電阻隨著溫度的身高電阻值超大

10樓:匿名使用者

在長度、粗細、材料一定的情況下,溫度越高電阻越大,但是一般溫度的影響忽略不計

半導體與金屬材料的電阻率與溫度的關係有何區別?為什麼?

11樓:匿名使用者

主要區別是金屬的電阻率隨溫度升高而增大。而半導體的電阻率在低溫、室溫和高溫情況下,變化情況各不相同。

一、金屬電阻率與溫度的關係:

金屬材料在溫度不高,溫度變化不大的範圍內:幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化,即ρ與溫度t(℃)的關係是ρt=ρ0(1+at),式中ρ1與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率;α是電阻率的溫度係數,與材料有關。

有沒有隨溫度升高,電阻率急劇增加的材料

12樓:

拿其電阻率

bai來說,電阻du率主要決定於載流zhi

子的濃度和遷dao移率,兩者均與雜質版濃度和權溫度有關係。

討論純半導體材料是,電阻率主要取決於本證載流子濃度ni,ni隨溫度升高會急劇增加,室溫左右時,每8℃,矽的ni會增加大約一倍,而遷移率只是稍有下降,所以可以認為起電阻率相應的降低了一半左右。對於鍺,每增加12℃,ni增加一倍,電阻率下降一半。本徵半導體的電阻率隨溫度增加單調下降。

對於雜質半導體:

溫度很低時,本徵激發忽略,主要由雜質電離提供載流子,它隨溫度升高而增加;散射主要由電離雜質決定,遷移率隨溫度升高增大,所以電阻率下降。

溫度繼續升高,雜質全部電離,本徵激發還不顯著時,載流子基本不變,晶格振動是主要影響因素,遷移率隨溫度升高而降低,所以電阻率隨溫度升高而增大。

繼續升高到本徵激發很快增加時,本徵激發稱為主要影響因素,表現出同本證半導體相同的特徵。

物質材料的電阻率的往往隨溫度的變化而變化,一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大,而半導體材料的電

13樓:琳大小姐

①:由於待測電阻的阻值較小遠小於電壓表內阻,所以電流表應用外接法;從資料表可知,電流從零調,所以變阻器應採用分壓式接法,故電路圖應是b;

②:從表中資料可知,溫度越高(電流越大)時,求出的電阻越小,可判斷元件是半導體材料;

③:在不斷開電路情況下,檢查電路故障時不能使用電流擋和歐姆擋,從表中資料可知最高電壓是1.5v,所以應該使用直流電壓2.5v擋;

由於黑表筆接在電壓表的正極,所以將多用表的紅、黑表筆與電流表「+」、「-」接線柱接觸時,多用電錶指標發生較大偏轉,說明電路故障是電流表斷路;

故答案為:①b;②半導體;③直流電壓2.5v,電流表斷路

金屬材料的電阻率通常隨溫度的升高而增大,半導體材料的電阻率隨溫度的升高而減少.某同學需要研究某導電

14樓:窩窩惡少

(1)電壓從零開始變化,滑動變阻器應採用分壓接法;待測電阻版阻值很小,電壓表

權內阻遠大於待測電阻阻值,電流表應採用外接法,由圖1所示電路圖可知,實驗應採用a所示電路.

(2)由表中實驗資料可知,隨元件電壓增大,通過元件的電流增大,元件的實際功率增大,元件溫度升高;由歐姆定律可知,隨元件兩端電壓增大,元件電阻減小,因此元件是半導體材料.

(3)由圖2所示螺旋測微器可知,固定刻度示數為1.5mm,可動刻度示數為49.0×0.

01mm=0.490mm,元件的直徑為1.5mm+0.

490mm=1.990mm(1.989~1.

991均正確).

(4)由圖3可知,元件z與電阻r串聯,電流表測電路電流,由表中實驗資料可知,電流為1.25a時,元件兩端電壓為1.00v,電流為0.

80a時,元件兩端電壓為0.80v,由閉合電路歐姆定律可得:e=i(r+r)+uz ,

e=1.25×(2+r)1.00,e=1.25×3.6+r)+0.80,解得,電源電動勢e=4.0v,內阻r=0.4ω.

故答案為:(1)a;(2)半導體材料;(3)1.990;(4)4.0;0.4.

半導體和金屬的電阻率與溫度關係有何差別

15樓:匿名使用者

主要區別是金屬的電阻

率隨溫度升高而增大。而半導體的電阻率在低溫、室溫和高溫情況下,變化情況各不相同。

一、金屬電阻率與溫度的關係:

金屬材料在溫度不高,溫度變化不大的範圍內:幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化,即ρ與溫度t(℃)的關係是ρt=ρ0(1+at),式中ρ1與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率;α是電阻率的溫度係數,與材料有關。錳銅的α約為1×10-1/℃(其數值極小),用其製成的電阻器的電阻值在常溫範圍下隨溫度變化極小,適合於作標準電阻。

已知材料的ρ值隨溫度而變化的規律後,可製成電阻式溫度計來測量溫度。

二、半導體電阻率與溫度的關係:

決定電阻率溫度關係的主要因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化關係。

在低溫下:由於載流子濃度指數式增大(施主或受主雜質不斷電離),而遷移率也是增大的(電離雜質散射作用減弱之故),所以這時電阻率隨著溫度的升高而下降。

在室溫下:由於施主或受主雜質已經完全電離,則載流子濃度不變,但遷移率將隨著溫度的升高而降低(晶格振動加劇,導致聲子散射增強所致),所以電阻率將隨著溫度的升高而增大。

在高溫下:這時本徵激發開始起作用,載流子濃度將指數式地很快增大,雖然這時遷移率仍然隨著溫度的升高而降低(晶格振動散射散射越來越強),但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度增大的強,所以總的效果是電阻率隨著溫度的升高而下降。

16樓:愛我家菜菜

半導體( semiconductor),指常溫下導電效能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體制作的器件。

半導體是指一種導電性可受控制,範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品,如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。

常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等,而矽更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。

電阻率的大小和材料溫度有什麼關係?

17樓:第410號

一般而言 金屬材料溫度升高電阻變大 半導體材料溫度升高電阻變小

18樓:匿名使用者

一般是溫度越低,電阻越小。

體積電阻率和表面電阻率與聚合物樣品的組成間的關係

1 體積電阻 bai率 和du 表面電阻率 都通常用 zhi來表達樣品的導電性。導dao電性越 差則 專電阻率 越大,導屬電性越好則 電阻率 越小 2 樣品的導電性,由樣品中包含的載流子濃度和其遷移率的乘積來決定。此乘積越大則導電性越好,乘積越小則導電性越差 3 聚合物的 電阻率 同樣由聚合物中的載...

電阻與電阻率的區別是什麼?謝謝了,大神幫忙啊

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