led外延片是什麼，LED外延片和LED晶片的區別

1樓：是水墨氤氳情愫

led外延片是led內部的晶片生產的原材料，它是在藍寶石襯底上通過化學氣相沉積技術生長出來的一層薄膜。之後在外延片上注入基區和發射區，再通過切割等工藝，就可以形成led晶片。led晶片通過封裝工藝，才會形成我們看到的led燈珠。

led外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、sic、si)上，氣態物質ingaalp有控制的輸送

到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。

led外延片襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的led外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。

led外延片襯底材料選擇特點：

1、結構特性好，外延材料與襯底的晶體結構相同或相近、晶格常數失配度小、結晶效能好、缺陷密度小。

2、介面特性好，有利於外延材料成核且黏附性強

3、化學穩定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕

4、熱學效能好，包括導熱性好和熱失配度小

5、導電性好，能製成上下結構

6、光學效能好，製作的器件所發出的光被襯底吸收小

7、機械效能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等

8、**低廉。

9、大尺寸，一般要求直徑不小於2英吋。

10、容易得到規則形狀襯底(除非有其他特殊要求)，與外延裝置托盤孔相似的襯底形狀才不容易形成不規則渦流，以至於影響外延質量。

11、在不影響外延質量的前提下，襯底的可加工性儘量滿足後續晶片和封裝加工工藝要求。

襯底的選擇要同時滿足以上十一個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術的變更和器件加工工藝的調整來適應不同襯底上的半導體發光器件的研發和生產。用於氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用於生產的襯底目前只有二種，即藍寶石al2o3和碳化矽sic襯底。

表2-4對五種用於氮化鎵生長的襯底材料效能的優劣進行了定性比較。

led外延片的襯底材料考慮的因素：

1、襯底與外延膜的結構匹配：外延材料與襯底材料的晶體結構相同或相近、晶格常數失配小、結晶效能好、缺陷密度低;

2、襯底與外延膜的熱膨脹係數匹配：熱膨脹係數的匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹係數上相差過大不僅可能使外延膜質量下降，還會在器件工作過程中，由於發熱而造成器件的損壞;

3、襯底與外延膜的化學穩定性匹配：襯底材料要有好的化學穩定性，在外延生長的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因為與外延膜的化學反應使外延膜質量下降;

4、材料製備的難易程度及成本的高低：考慮到產業化發展的需要，襯底材料的製備要求簡潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小於2英寸。

目前led外延片襯底材料

當前用於gan基led的襯底材料比較多，但是能用於商品化的襯底目前只有兩種，即藍寶石和碳化矽襯底。其它諸如gan、si、zno襯底還處於研發階段，離產業化還有一段距離。

以上內容分析源自ofweek半導體照明網，希望能幫到您。

2樓：

led晶片加工過程中的一種晶片材料。

led外延片和led晶片的區別

3樓：窮神爺

外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導體薄膜，以gan為例，在藍寶石(al2o3)上生長一層結構複雜的gan薄膜（包括n-gan,量子阱,n-gan等），這層薄膜就叫做外延。

而晶片指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應用。晶片的主要材料為單晶矽不正確，仍為gan材料。可以說外延是晶片的原材料，晶片就是在外延的基礎上增加了電極（有的晶片還做鈍化膜，反射鏡等等）