矽管比鍺管的開啟電壓大的原因矽管比鍺管應用廣泛的原因是什麼?請各位大俠幫幫忙

2021-03-09 02:42:49 字數 932 閱讀 3248

1樓:煚南城舊夢

1) 矽二抄極管反向電流比bai鍺二極體反向電流小du的多,鍺管為ma級,矽管為na級。這zhi是因為在相同溫dao度下鍺的ni比矽的ni要高出約三個數量級,所以在相同摻雜濃度下矽的少子濃度比鍺的少子濃度低的多,故矽管的反向飽和電流is很小。

2) 在正向電壓很小時,通過二極體的電流很小,只有正向電壓達到某一數值ur後,電流才明顯增長。通常把電壓ur稱為二極體的門限電壓,也稱為死區電壓或閾值電壓。由於矽二極體的is遠小於鍺二極體的is,所以矽二極體的門限電壓大於鍺二極體的門限電壓。

一般矽二極體的門限電壓約為0.5v~0.6v, 鍺二極體的門限電壓約為0.

1v~0.2v。

2樓:

開啟電壓,抄

一般稱為導通電壓。半導體器件導通時,要求pn結上必須施加正向電壓(p正n負)值,這是因為pn結內部由於載流子的擴散和複合,pn結在p型半導體側只有被束縛的負電荷,在n型半導體側只有被束縛的正電荷,形成了一個空間電荷區,自然構成一個由n指向p的內建電場。該電場強度與本徵載流子濃度成相反函式關係,鍺材料由於原子半徑大,束縛外圍電子能力差,因而本徵載流子濃度大於矽材料,導致內建電場強度小於矽。

若想要pn結導通,外施正向電壓形成的場強大小必須首先要能夠克服該內建電場,對於矽材料,克服該電場需要0.6-0.8伏,對於鍺材料克服該電場需要0.

1-0.3伏。這就是矽管開啟電壓大的原因了。

3樓:匿名使用者

結電壓0.7,高於鍺0.3

4樓:寧靜d似水

半導體材料特性決定的。

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5樓:匿名使用者

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請詳細說明二極體的管壓降和門坎電壓的區別

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