線圈的電抗與對應磁路的磁阻有什麼關係

2021-05-12 00:45:35 字數 3866 閱讀 7943

1樓:蓋辜苟

電感與線圈匝數的平方成正

比,與磁場介質的 磁導成正比。

交流線圈的電抗 ,電抗  x  隨著頻率 f 、匝數 n  、磁阻     的變化而變化。隨著鐵心磁路飽和的增加,鐵心磁導率   減小,相應的磁導、電抗也要減小。

磁阻,是指含有永磁體的磁路中的一個參量。源於磁路中存在漏磁。利用永磁體來產生一工作磁場時,需要有永磁體、高導磁軟磁體和適當大小的空隙三部分,總稱為磁路。

永磁體提供磁通,經過軟磁體連線後在空隙處產生磁場。磁路中的總磁通量是守恆的,但在空隙處的磁通密度相對降低,因有部分磁通在非空隙處流失,稱之為漏磁,導致磁路中的磁阻

感抗:電流變化越大,即電路頻率越大,感抗越大;而當頻率變為0,即成為直流電時,感抗也變為0。感抗會引起電流與電壓之間的相位差。感抗可由下面公式計算而來:

類似於直流電路中電阻對電流的阻礙作用,在交流電路(如串聯rlc電路)中,電容及電感也會對電流起阻礙作用,稱作電抗(reactance),其計量單位也叫做歐姆。在交流電路分析中,電抗用 x 表示,是複數阻抗的虛數部分,用於表示電感及電容對電流的阻礙作用。電抗隨著交流電路頻率而變化,並引起電路電流與電壓的相位變化。

2樓:啦啦啦

磁阻越大,電抗越小,兩者之間成反比關係

電感與線圈匝數的平方成正比,與磁場介質的 磁導成正比。

交流線圈的電抗

電抗  x  隨著頻率 f 、匝數 n  、磁阻     的變化而變化。

隨著鐵心磁路飽和的增加,鐵心磁導率   減小,相應的磁導、電抗也要減小。

關於磁阻和電感的關係

rm=le/(u*a)(le是磁環長度)  rm是磁阻

l(電感)=n2/rm (n的平方)

1、磁勢

磁源提供磁力的的最大能力,根據安培環路定律有對磁場強度h沿長度元dl的積分等於線圈的匝數乘以積分曲線包圍的電流的代數和,對一載有電流i、匝數為n的勵磁線圈,穿過線圈迴路的磁勢ni。

2、磁勢說明編輯

磁源對外開環時產生的能量形式為磁場,導磁體與磁源閉合形成的迴路產生磁通,導磁體都有磁阻,此時如果把它的負載磁阻看做為零(即無漏磁損耗),此時磁源的最大磁通能力就是磁勢

b為磁感應強度,s為面積,l為磁源長度,那麼磁勢等於b*s*l

3、磁動勢

標準定義是電流流過導體所產生磁通量的勢力(force)[2],是用來度量磁場或電磁場的一種量,類似於電場中的電動勢或電壓。它被描述為線圈所能產生磁通量的勢力[2],這樣科學家就能夠用它來衡量或預見通電線圈實際能夠激發磁通量的勢力[2]。此外,永久磁鐵也會有磁動勢

f=φrm(φ=b*s s為截面積),rm=l/μa

f = ni

f = hl(h為磁場強度,與磁密度b和磁路材料等有關) l表示磁路長度。

公式一:作用在磁路上的磁動勢 f 等於磁路內的磁通量 φ 與磁阻rm的乘積。

公式二:通電線圈產生的磁動勢 f 等於線圈的匝數 n 和線圈中所通過的電流 i 的乘積,也叫磁通勢,磁動勢f的單位是安培(a)。

公式三:f 是磁場強度h在磁路l上的積分。

磁阻與電感的關係

3樓:貞觀之風

總的來bai說,應該是,磁阻

du越小

,電感zhi量越大;磁阻越大,電感量dao越小。如果是空專心電感屬,那麼磁阻就是一定的,因而電感也是一定的。

如果是含鐵心的電感,則由於鐵磁材料的磁導率具有非線性,因而磁阻也是非線性的,所以電感也呈非線性。

4樓:匿名使用者

總的來說,bai應該是du,磁阻越小,電zhi感量越大;磁阻越大,電感dao量越小專。

如果是空心電感,那麼屬磁阻就是一定的,因而電感也是一定的。

如果是含鐵心的電感,則由於鐵磁材料的磁導率具有非線性,因而磁阻也是非線性的,所以電感也呈非線性。

如果想要具體公式的話,可以參考如下:

φ代表磁通量,rm代表磁阻,f代表磁動勢,l代表電感,i代表電流f=φ*rm,φ=li,l= φ/i = f/(rm*i)這個問題問的很好啊!說明你思考的很深入。

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為什麼電抗器氣隙越大,電感越小?電感和阻抗成正比關係麼?

5樓:安慶地痞

線圈的電感量是與磁路的磁導率u成正比的,氣隙越大,磁路的磁阻越大,也就是說磁導率降低了,所以電感量就小了。

電感的感抗 x = 2 * ∏ * f *l 所以感抗x與電感量l成正比。

6樓:鐵匠半百

電抗器氣隙越大,同樣條件下產生的磁通量越小,電感也就越小。

感抗與電感成正比例關係:z=2派fl

磁路的磁阻如何計算,磁阻的單位是什麼?

7樓:月似當時

一段磁路,它有均勻長方形截面,磁感應線和截面垂直。令截面上的磁通量是φ,磁路兩端的磁位差是um,磁阻的單位是每亨[利](h)。磁路的磁阻公式:

兩段磁路串聯時,總磁阻rm是每段磁路的磁阻(rm1和rm2)之和,即rm=rm1+rm2。 例如繼電器的銜鐵斷開時,繼電器鐵芯組成的磁路中串聯有由空氣隙構成的一小段磁路,使整個磁路的磁阻增加。

永磁體提供磁通,經過軟磁體連線後在空隙處產生磁場。磁路中的總磁通量是守恆的,但在空隙處的磁通密度相對降低,因有部分磁通在非空隙處流失,稱之為漏磁,導致磁路中的磁阻。

磁阻由該磁路的幾何形狀、尺寸、材料的磁特性等因素決定。

擴充套件資料

若外加磁場與外加電場垂直,稱為橫向磁阻效應;若外加磁場與外加電場平行,稱為縱向磁阻效應。一般情況下,載流子的有效質量的馳豫時時間與方向無關,則縱向磁感強度不引起載流子偏移,因而無縱向磁阻效應。

磁阻效應主要分為:

1、常磁阻(ordinarymag***oresistance,omr)

對所有非磁性金屬而言,由於在磁場中受到洛倫茲力的影響,傳導電子在行進中會偏折,使得路徑變成沿曲線前進,如此將使電子行進路徑長度增加,使電子碰撞機率增大,進而增加材料的電阻。

2、巨磁阻(giantmag***oresistance,gmr)

所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應,它產生於層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。

當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的散射最強,材料的電阻最大。

3、超巨磁阻(colossalmag***oresistance,cmr)

超巨磁阻效應(也稱龐磁阻效應)存在於具有鈣鈦礦(perovskite)abo3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(gmr)不同,而且往往大上許多,所以被稱為「超巨磁阻」。

8樓:匿名使用者

其中a、l分別是該段磁路的截面積和長度(見圖);μ是磁路材料的磁導率。

2.磁阻的單位是亨利(h)。

3.補充:磁阻(mag***ic reluctance)是指含有永磁體的磁路中的一個參量。

源於磁路中存在漏磁。利用永磁體來產生一工作磁場時,需要有永磁體、高導磁軟磁體和適當大小的空隙三部分,總稱為磁路。永磁體提供磁通,經過軟磁體連線後在空隙處產生磁場。

磁路中的總磁通量是守恆的,但在空隙處的磁通密度相對降低,因有部分磁通在非空隙處流失,稱之為漏磁,導致磁路中的磁阻。

9樓:匿名使用者

磁阻r=ml/s  m 為磁導率,單位h/m .l長度l和截面積s的單位分別為m和㎡ 磁阻的單位為1/亨(h-1)。

10樓:黃凌峰

r=l/ua(u為磁導率)單位a/wb

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