1樓:匿名使用者
你好 這個是mos管 引數是14v 100v 電路開關
貼片三極體d9d是什麼三極體
2樓:匿名使用者
此型號是貼片雙極性三極體,d9d是npn三極體,b9d是pnp三極體
3樓:不曾夨來過
bai單憑三極體上的印字是du
沒有辦法準確定出型號的zhi,這和電阻上的dao印字不是一內
個概念。三極體上的印字都是
絲印d6是什麼貼片三極體
4樓:匿名使用者
d6是標號。13001是型號,靠這個型號可以在市場上買到該類的三極體。 d6d6是管體上的絲印**,你要先搞清楚它是什麼封裝,幾個腳,長寬尺寸。
5樓:匿名使用者
d6是二極體,三極體的絲印是q
打字為j3y的貼片三極體是什麼三極體?
6樓:楊必宇
型號來 : s8050 。
描述 : low voltage high。
封裝自 : sot-23 。
j3y由2塊n型半導體中間夾著一塊p型半導體所組成,發射區與基區之間形成的pn結稱為發射結,而集電區與基區形成的pn結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e (emitter)、基極b (base)和集電極c (collector)。
7樓:匿名使用者
型號是抄s8050
描述是襲low voltage high current **all signal npn transistor
封裝是sot-23
印記是j3y
小功bai率晶體三極體的功率一般
du小於0.3w,它是電阻電zhi
路重用的最多的dao晶體三極體之一。
主要用來放大交、直流訊號或應用在振盪器、變換器等電路中。
中功率晶體三極體的功率一般在0.3~1w之間,這種電晶體主要用於驅動電路和激勵電路之中,或者是為大功率放大器提供驅動訊號。
根據工作電流和耗散功率,應採用適當的散熱方式。
8樓:匿名使用者
打字為j3y的貼片三極體
bai這個是印記記為duj3y,它的型號是三極zhi管的daos8050 。
大功率回
晶體三極體的功率一般在答1w以上,這種晶體三極體由於耗散功率比較大,工作時往往會引起晶片內溫度過高,所以通常需要安裝散熱片,以確保晶體三極體良好的散熱。
低頻晶體三極體的特徵頻率一般小於3mhz,這種電晶體多用於低頻放大電路,例如收音機的功放電路等。
採用金屬封裝的晶體三極體主要有b型,c型,d型,e型,f型,g型,
其中小功率晶體三極體(以高頻小功率晶體三極體為主)主要採用b型封裝形式,f型和g型封裝形式主要用於低頻大功率晶體三極體。
光敏三極體是一種具有放大能力的光-電轉換器件,因此相比光敏二極體它具有更高的靈敏度。需要注意的是,光敏電晶體既有3個引腳的,也有2個引腳的,使用時要注意辨別,不要誤認為2個引腳的光敏晶體三極體為光敏二極體。
9樓:好哈哈耶
型號 : s8050
描述 : low voltage high current **all signal npn transistor
封裝 : sot-23
印記 : j3y
擴充套件資料
三極體,全稱應為半導體三極體,也稱雙極型電晶體、晶體三極體,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號,也用作無觸點開關。
三極體是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的pn結,兩個pn結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有pnp和npn兩種。
基本釋義
三極體(也稱電晶體)在中文含義裡面只是對三個引腳的放大器件的統稱,我們常說的三極體,可能是 如圖所示的幾種器件。
可以看到,雖然都叫三極體,其實在英文裡面的說法是千差萬別的,三極體這個詞彙其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞彙。
「triode」(電子三極體)這個是英漢詞典裡面 「三極體」 的唯一英文翻譯,與電子三極體初次出現有關,是真正意義上的三極體這個詞最初所指的物品。其餘的在中文裡稱作三極體的器件,實際翻譯時不可以翻譯成triode。
電子三極體 triode (俗稱電子管的一種)
雙極型電晶體 bjt (bipolar junction transistor)
j型場效電晶體 junction gate fet(field effect transistor)
金氧半導體場效應電晶體 mos fet ( metal oxide semi-conductor field effect transistor)英文全稱
v型槽場效電晶體 vmos (vertical metal oxide semiconductor )
注:這三者看上去都是場效電晶體,其實金氧半導體場效應電晶體 、v型槽溝道場效電晶體 是 單極(unipolar)結構的,是和 雙極(bipolar)是對應的,所以也可以統稱為單極電晶體(unipolar junction transistor)
其中j型場效電晶體是非絕緣型場效電晶體,mos fet 和vmos都是絕緣型的場效電晶體。
vmos是在 mos的基礎上改進的一種大電流,高放大倍數(跨道)新型功率電晶體,區別就是使用了v型槽,使mos管的放大係數和工作電流大幅提升,但是同時也大幅增加了mos的輸入電容,是mos管的一種大功率改進型產品,但是結構上已經與傳統的mos發生了巨大的差異。vmos只有增強型的而沒有mos所特有的耗盡型的mos管。
發展歷史
2023年12月23日,美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室裡,3位科學家——巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體把聲音訊號放大的實驗。
3位科學家驚奇地發現,在他們發明的器件中通過的一部分微量電流,竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流,因而產生了放大效應。這個器件,就是在科技史上具有劃時代意義的成果——電晶體。因它是在聖誕節前夕發明的,而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響,所以被稱為「獻給世界的聖誕節禮物」。
這3位科學家因此共同榮獲了2023年諾貝爾物理學獎。
新研究發現,在電晶體電子流出端的襯底外,沉積一層對應材料,能形成一個半導體致冷p-n結構,因為n材料的電子能級低,p材料的電子能級高,當電子流過時,需要從襯底吸入熱量,這就為電晶體核心散熱提供一個很好的途徑。因為帶走的熱量會與電流的大小成正比例,業內也稱形象地把這個稱為「電子血液」散熱技術。根據新增新材料的極性位置不同,新的致冷三極體分別叫做n-pnp或npn-p。
電晶體促進並帶來了「固態革命」,進而推動了全球範圍內的半導體電子工業。作為主要部件,它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用,併產生了巨大的經濟效益。由於電晶體徹底改變了電子線路的結構,積體電路以及大規模積體電路應運而生,這樣製造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實。
工作原理
理論原理
晶體三極體(以下簡稱三極體)按材料分有兩種:鍺管和矽管。而每一種又有npn和pnp兩種結構形式,但使用最多的是矽npn和鍺pnp兩種三極體,(其中,n是負極的意思(代表英文中negative),n型半導體在高純度矽中加入磷取代一些矽原子,在電壓刺激下產生自由電子導電,而p是正極的意思(positive)是加入硼取代矽,產生大量空穴利於導電)。
兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹npn矽管的電流放大原理。
對於npn管,它是由2塊n型半導體中間夾著一塊p型半導體所組成,發射區與基區之間形成的pn結稱為發射結,而集電區與基區形成的pn結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e (emitter)、基極b (base)和集電極c (collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時,發射結處於正偏狀態,而c點電位高於b點電位幾伏時,集電結處於反偏狀態,集電極電源ec要高於基極電源eb。
在製造三極體時,有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的,同時基區做得很薄,而且,要嚴格控制雜質含量,這樣,一旦接通電源後,由於發射結正偏,發射區的多數載流子(電子)及基區的多數載流子(空穴)很容易地越過發射結互相向對方擴散,但因前者的濃度基大於後者,所以通過發射結的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發射極電流子。
LY貼片三極體和CR貼片三極體，跟什麼三極體一樣
直插封裝的型號 貼片的型號 極性 ft vceo ic hfe 配對型號 9011 1t npn 150mhz 18v 100ma 28 132 9012 2t pnp 150mhz 25v 500ma 64 144 9013 9013 j3 npn 9014 j6 npn 150mhz 18v 1...
l貼片三極體l6是什麼型號的三極體
半導體三極體du屬電流zhi控制器件。1 三極體dao,全稱應為半導體三極體,回也稱雙極型電晶體 晶體三極答管,是一種電流控制電流的半導體器件 其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號,也用作無觸點開關。2 晶體三極體,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極體是在一塊...
三極體d2019引腳的作用，三極體d2012引腳的作用
用途是音訊功率放大。d2012，即2sd2012，是矽npn三極體，三極體最基本的作用是放大作用，它可以專把微弱的屬電訊號變成一定強度的訊號，當然這種轉換仍然遵循能量守恆，它只是把電源的能量轉換成訊號的能量。三極體有一個重要引數就是電流放大係數 當三極體的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到...