1樓:中華之星
都是通過
制 pulse generator 產生驅動訊號,可以設定相應的佔空比,如scr就可以設定脈衝週期
為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。
電力電子技術問題 scr gto gtr igbt mosfet 對觸發脈衝要求的異同點
2樓:赫新蘭皋鸞
都是通來過
pulse
generator
產生驅動信源號,可以設定相應的佔空比,如scr就可以設定脈衝週期為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。
3樓:東郭芙單胭
做實驗bai
,不炸幾個不長記性
du1)注意防靜電,zhi尤其是mos
2)gto,igbt,gtr這些高壓大電流的dao,注意別弄死自己版3)
有條件可以加
權些保護監控電路,殼溫監測、過流監測等,情況不好直接斷電,保證實驗室中電路保險合格,發生異常可以自動跳閘等等
其他至於炸不炸的,原因很多,驅動,散熱等等,不用太擔心炸的聲音還沒個屁響
scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝的異同點 250
4樓:
都是通過 pulse generator 產生驅動訊號,可以設定相應的佔空比,如scr就可以設定脈衝週期為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。
電力電子scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝要求的異同點 50
5樓:tang破曉
igbt驅動電路的特點是:驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。 gtr驅動電路的特點是:
驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗;關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。 gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路、關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點是:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。
scr.gto.gtr功率mosfet。igbt的各自優缺點
6樓:lin夕子
上述提到的器件
都屬於功率開關器件。若按參與導電的載流子是一種還是兩種,可分為單極器件和雙極器件。
其中屬於雙極器件的有:scr、gto、gtr以及igbt;單極器件的是功率mosfet。scr是可控矽整流器,也叫閘流體,主要用在類似於二極體的領域,其與二極體不同的是,正向工作時,可通過門極電流來觸發導通。
而不像是二極體過了導通電壓就能直接導通,但其關斷不能通過門極關斷,而是將電流減小至某個值以下,或是直接的換向關斷。gto是gate turn-off thyristor, 為門極可關斷閘流體,即可以通過控制門極關斷閘流體。
gtr應該是giant transistor,為巨型電晶體,導通工作時要求發射結集電結均正偏,與普通bjt工作類似。以上的器件主要用於大電流,高壓,低頻場合。
而功率mosfet由於是單極型器件,電流處理能力相對較弱,但由於其在開關過程中,沒有載流子儲存的建立與抽取,其頻率特性好,用於高頻低壓領域。
而igbt,為insulated gate bipolar transistor,是絕緣柵雙極場效電晶體,為電壓控制電流,柵控器件,其工作頻率比普通的雙極器件高,電流處理能力比mosfet要強,一般用於中高頻中高壓領域。
電力電子技術試題gto gtr mosfet igbt四種電晶體的優缺點請儘量稍微的詳細點
7樓:理科女
gto(門級可關斷閘流體):全控型器件 電壓、電流容量大,適用於大功率場合,具專有電導調製效應,其屬通流能力很強 電流關斷增益很小,關斷時門極負脈衝電流大,開關速度低,驅動功率大,驅動電路複雜,開關頻率低
gtr(電力電晶體)耐高壓,電流大開關特性好mosfet(電力場效應電晶體)驅動電路簡單,需要驅動功率小,開關速度快,工作頻率高,熱穩定性高於gtr但是電流容量小
igbt(絕緣柵雙極電晶體)它綜合了gtr和mosfet的優點,具有電導調製效應,其通流能力很強,但是開關速度較慢,所需驅動功率大,驅動電路複雜。
望採納~~
8樓:匿名使用者
igbt 開關速bai度高,開關損耗du小,具有耐脈衝電流衝擊的能zhi力,通態壓降較低,輸dao入阻抗高,為電版壓驅動,驅動功率小 開關權速度低於電力mosfet,電壓,電流容量不及gto
gtr 耐壓高,電流大,開關特性好,通流能力強,飽和壓降低 開關速度低,為電流驅動,所需驅動功率大,驅動電路複雜,存在二次擊穿問題
gto 電壓、電流容量大,適用於大功率場合,具有電導調製效應,其通流能力很強 電流關斷增益很小,關斷時門極負脈衝電流大,開關速度低,驅動功率大,驅動電路複雜,開關頻率低
mosfet 開關速度快,輸入阻抗高,熱穩定性好,所需驅動功率小且驅動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題 電流容量小,耐壓低,一般只適用於功率不超過10kw的電力電子裝置
請問igbt、gto、gtr與mosfet的驅動電路有什麼特點
9樓:匿名使用者
igbt驅動電路的特點
來是:源驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。
gtr驅動電路的特點是:驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗;關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。
gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路,關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。
電路電子技術，數位電子技術和類比電子技術有什麼區別？謝謝！
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